Gravure sélective par voie humide de Ga0.5In0.5Sb et d'Al0.55In0.45Sb en vue de la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction

Authors :: Mairiaux, E.
Desplanque, L.
Wallart, X.
Dambrine, G.
Zaknoune, M.
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Source :: 12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France
Publication Year :: 2008
Publisher :: HAL CCSD, 2008.

Language :: French
Database :: OpenAIRE
Journal :: 12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France
Accession number :: edsair.dedup.wf.001..265442b589eb94ceb7ad9c470b6e1eba

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