The investigation of structural optical and electrical properties of ZnS semiconductor films obtained by chemical bath deposition method

Tez (doktora) - Anadolu Üniversitesi
Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
Kayıt no: 456879
Bu çalışmada, ZnS yarıiletken filmleri farklı depolama sürelerinde ve farklı depolama sıcaklıklarında bekletilerek cam alttabanlar üzerine kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden elde edilen filmlerin amorf ve hekzagonal yapıda oldukları saptanmıştır. Absorpsiyon spektrumu ölçümlerinden filmlerin direkt bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığının 3.85 eV ile 3.97 eV arasında değiştiği belirlenmiştir. I-V ölçümlerinden ohmik iletim mekanizması gözlenmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik değerleri s = 9.1x10-10 (Wcm)-1 ile s = 1.47x10-9 (Wcm)-1 arasındadır. Elde edilen filmler 400 °C'de bir saat tavlama işlemine tabi tutulmuş ve tavlamanın elektriksel iletkenlik üzerine etkisi araştırılmıştır. Sıcaklığa bağlı akım ölçümlerinden aktivasyon enerjileri 0.01 eV ile 0.81 eV arasında bulunmuştur.