Noise analysis of 0.1 μm gate MESFETs and HEMTs

Authors :: Javier Mateos
González, T.
Pardo, D.
Tadyszak, P.
Danneville, F.
Cappy, A.
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Source :: Scopus-Elsevier, Solid-State Electronics, Solid-State Electronics, 1998, 42 (1), pp.79-85. ⟨10.1016/S0038-1101(97)00196-2⟩
Abstract: International audience

Subjects :: [SPI]Engineering Sciences [physics]
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS

ISSN :: 00381101
Database :: OpenAIRE
Journal :: Scopus-Elsevier, Solid-State Electronics, Solid-State Electronics, 1998, 42 (1), pp.79-85. ⟨10.1016/S0038-1101(97)00196-2⟩
Accession number :: edsair.dedup.wf.001..f527dcdce69c508b0f180a3c3f04514d
Full Text :: https://doi.org/10.1016/S0038-1101(97)00196-2⟩