Atomic-scale observation of dopant atoms in GaAs

Authors :: Mahieu, G.
Deresmes, D.
Grandidier, B.
Nys, J.P.
Stievenard, D.
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Physique-IEMN (PHYSIQUE-IEMN)
Source :: PICO : The Omicron NanoTechnology Newsletter, PICO : The Omicron NanoTechnology Newsletter, 2004, 8, pp.6-7
Publication Year :: 2004
Publisher :: HAL CCSD, 2004.
Abstract: International audience

Subjects :: [SPI]Engineering Sciences [physics]
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS

Language :: English
Database :: OpenAIRE
Journal :: PICO : The Omicron NanoTechnology Newsletter, PICO : The Omicron NanoTechnology Newsletter, 2004, 8, pp.6-7
Accession number :: edsair.dedup.wf.001..fa99955951b4b5f81bf8b4f093563345

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