Electron probe microanalysis of particles in washing chemicals for semiconductor

超LSIの微細化に伴い,シリコンウェーハ洗浄用薬品の高純度化,金属不純物及び微粒子の低減が必要とされている.金属不純物は16MビットDRAM(dynamic random acccss memory)以降の超LSIでは1ppb以下が要求される.又微粒子はウェーハ表面に付着するとパターン欠陥や電気特性劣化の原因となる.著者らはEPMAによって薬品中の微粒子の構成元素を分析し,検出された元素を容器からの溶出元素の面から検討した.その結果,微粒子の構成元素は主にSiで,その他にAl,Mg,Fe,Cr,Tiであった.これらは容器に含まれており,微粒子の発生源の一つに容器が考えられる.不純物濃度は硫酸の場合Siのみがわずか増加したが,その他の元素には変化が見られなかった.