Focused Ion Beam (FIB)-basierte Zielpräparation an Transistoren der 70 nm-Generation zur Elektronenholographie

Kurzfassung Bei der Präparation von holographiefähigen TEM-Proben müssen Voraussetzungen beachtet werden, die über die konventionelle TEM-Präparation hinausgehen und deren Realisierung mit der Verkleinerung der Zielobjekte immer schwieriger wird. Es werden zwei Varianten einer neuen Anordnung für die FIB-basierte Zielpräparation von Einzeltransistoren aktueller Strukturbreiten in der Mikroelektronik vorgestellt. Die Ergebnisse der holographischen Untersuchungen bestätigen die Anwendbarkeit der Präparationsroute.