Cathodoluminescence measurements on green light-emitting GaP diodes

Green light-emitting GaP:N diodes (LED's) are investigated at room temperature using a scanning electron probe microanalyzer. Integral cathodoluminescence (CL) line scans across the p-n junction are carried out. The CL line scan is discussed in connection with the depth of the p-n junction and in comparison with the external quantum efficiency of the diodes. A higher concentration of non-radiative recombination centres are detected in some cases close to the p-n junction in the n-region. The injection ratio (under the forward-bias condition) is determined comparing CL with the electroluminescence. Mit einem Elektronenstrahlmikroanalysator werden grun leuchtende GaP:N-Dioden (LED's) bei Raumtemperatur untersucht. Linienscans der integralen Katodolumineszenz werden uber dem pn-Ubergang durchgefuhrt. Die Katodolumineszenzprofile werden in Verbindung mit der Tiefe der pn-Ubergange und mit der auseren Quantenausbeute der Dioden diskutiert. In einigen Fallen wird eine Ansammlung von nichtstrahlenden Rekombinationszentren im n-Gebiet nahe dem pn-Ubergang nachgewiesen. Aus dem Vergleich der Katodolumineszenz mit der Elektrolumineszenz wird das Injektionsverhaltnis unter Flusspannung bestimmt.