A solution for the high-frequencyC versusV curve of MIS structures

An alternative approximation for the high frequency MIS capacitance as a function of surface potential and/or biasing potential is proposed. Its main advantage over the existing ones lies in the fact that the correct inversion potential barrier shape in the semiconductor is taken into account. The proposed procedure accounts more accurately for the experimentally observed leveling off of the capacitance at the onset of inversion. As compared with the exact solution as proposed by Sah et al. [4], the present method is much simpler and requires less computation time. Es wird eine Alternativ-Naherung fur die hochfrequente MIS-Kapazitanz als Funktion des Oberflachenpotentials und/oder der Vorspannung vorgeschlagen. Ihre hauptsachlichen Vorteile gegenuber den bereits existierenden bestehen in der Tatsache, das die korrekte Form der Inversionspotentialbarriere berucksichtigt wird. Die vorgeschlagene Methode gibt das beobachtete Nivellieren der Kapazitanz beim Einsetzen der Inversion genauer wieder. Im Vergleich zu der von Sah [4] vorgeschlagenen exakten Losung, ist die Methode viel einfacher und benotigt weniger Rechenzeit.