X-ray diffraction in a perfect crystal with disturbed surface layer

A method of analysis of curves for diffraction reflection from crystals with a disturbed surface layer is developed. It allows to determine, directly from experimental data, the integral characteristics of the disturbed layer, such as the thickness of the disturbed layer, Leff, mean change in the interplanar spacings along the layer and so on. This method is illustrated by an example of analysis of curves of reflection from diffuse layers of silicon for different orders of reflection. Eine Analysenmethode fur Beugungsreflexion von Kristallen mit einer gestorten Oberflachenschicht wird entwickelt. Sie erlaubt eine direkte Bestimmung der integralen Charakteristiken der gestorten Schicht, wie Dicke der gestorten Schicht Leff, mittlere Anderung der Abstande zwischen den Ebenen auf der Schicht usw., direkt aus den experimentellen Daten. Diese Methode wird mit einem Beispiel von Reflexionskurven von diffusen Siliziumschichten fur verschiedene Reflexionsordnungen illustriert.