Hot-electron magnetoresistance in n-silicon inversion layers)

The magnetoresistance of n-silicon inversion layers is measurd in dependence on the drain voltage at fixed temperatures and vs. tempeature at low drain voltages. A one-to-one correspondence of the electric drain fields and temperatures can be deduced from these measurements. The experimental data are taken at temperatures below 30 K. Assuming that the electrons lose energy to acoustic phonos only, the experimental results are compared with a “two-dimensional hot-electron” theory. The coupling constant ZA to the acoustic phonons via the deformation potential is found to be ZA = 5.9 eV, which compares favourably with earlier results. Es wird der Magnetowiderstand von n-leitenden Silizium-Inversionsschichten in Abhangigkeit von der Saugspannung bei festen Temperaturen und als Funktion der Temperatur bei niedrigen Saugspannungen gemessen. Aus diesen Messungen kann auf eine vollige Korrespondenz der elektrischen Saugfelder und Temperaturen geschlossen werden. Die exprimentellen Werte wurden bei Temperaturen unterhalb 30 K bestimt. Unter der Annahme das die Elektronen Energie nur an akustische Phononen verlieren, werden die experimentellen Ergebnisse mit einer Theorie „zweidimensionaler heiser Elektronen” verglichen. Es wird gefunden, das die Kopplungskonstante ZA zu den akustischen Phononen uber das Deformationspotential ZA = 5,9 eV betragt, was mit fruheren Ergebnissen gut ubereistimmt.