Back to Search
Start Over
Technologia epitaksji z wiązek molekularnych struktur laserów kaskadowych InAlAs/InGaAs/InP na pasmo średniej podczerwieni
- Source :
- ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA. 1:16-20
- Publication Year :
- 2016
- Publisher :
- Wydawnictwo SIGMA-NOT, sp. z.o.o., 2016.
Details
- ISSN :
- 00332089
- Volume :
- 1
- Database :
- OpenAIRE
- Journal :
- ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
- Accession number :
- edsair.doi...........4b457ff3d9f8b649d51cb8348673ac5c
- Full Text :
- https://doi.org/10.15199/13.2016.9.3