Etats électroniques occupés et inoccupés de SiO2 mesurés par photoémission directe et inverse et par émission d'X mous

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Robert Baptist, et al. “Etats Électroniques Occupés et Inoccupés de SiO2 Mesurés Par Photoémission Directe et Inverse et Par Émission d’X Mous.” Journal de Physique, vol. 48, Jan. 1987, pp. 81–91. EBSCOhost, https://doi.org/10.1051/jphys:0198700480108100.

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Robert Baptist, G. Chauvet, A. Brenac, M. Azizan, & T.A. Nguyen Tan. (1987). Etats électroniques occupés et inoccupés de SiO2 mesurés par photoémission directe et inverse et par émission d’X mous. Journal de Physique, 48, 81–91. https://doi.org/10.1051/jphys:0198700480108100

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Robert Baptist, G. Chauvet, A. Brenac, M. Azizan, and T.A. Nguyen Tan. 1987. “Etats Électroniques Occupés et Inoccupés de SiO2 Mesurés Par Photoémission Directe et Inverse et Par Émission d’X Mous.” Journal de Physique 48 (January): 81–91. doi:10.1051/jphys:0198700480108100.