Mechanism of Electron Capture by a Dislocation

A possible mechanism for electron recombination with a hole trapped at an edge dislocation in Ge is considered. It is assumed that the electron transfers a part of its energy to the oscillations of the charge system along the dislocation, being itself captured in one of the vibrational states. The probability of such process is estimated by the harmonic oscillator approximation. The calculated values of the lifetime are in order-of-magnitude agreement with those observed experimentally in plastically deformed germanium. Es wird ein Rekombinationsmechanismus untersucht, bei dem ein Elektron mit einem Loch rekombiniert, das an einer Stufenversetzung im Ge angehaftet ist. Es wird angenommen, das das Elektron einen Teil seiner Energie an die Schwingungen des Ladungssystems entlang der Versetzung abgibt, da es selbst in einen der Schwingungszustande eingefangen ist. Die Wahrscheinlichkeit fur das Auftreten eines derartigen Prozesses wurde in der Naherung harmonischer Oszillatoren berechnet. Die berechneten Werte fur die Lebensdauer stimmen grosenordnungsmasig mit den an plastisch deformierten Ge gefundenen Werten uberein.