Propriétés électriques des structures MIS sur InP passivé par un oxyde

By oxidation of InP in liquid medium, condensed indium phosphate In(PO 3 ) 3 could be obtained. In a previous work the physicochemical properties of this compound were studied and it was shown that it could be a good candidate for the passivation of InP. In this work MIS capacitors have been elaborated using this native oxide, C(V) characteristics of these structures have been measured and analysed. From these results, it was inferred that the minimum of the interface state density is typically of 10 11 cm -2 eV -1 Par oxydation de l'InP en milieu liquide on peut obtenir le phosphate condense In(PO 3 ) 3 . L'etude des proprietes physicochimiques de ce compose a deja montre qu'il pouvait etre un bon candidat a la passivation de l'InP. Dans ce travail, des capacites MIS ont ete fabriquees en utilisant cet oxyde natif, et les caracteristiques C(V) de ces structures ont ete mesurees et analysees. Ces resultats montrent que le minimum de la densite d'etats d'interface est typiquement de 10 11 cm -2 eV -1