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Stable Above-Threshold Linewidth Enhancement Factor in a 1.52μm InAs/InP (311B) Quantum Dot Laser

Authors :
Frédéric Grillot
Slimane Loualiche
A. Martinez
Kamel Merghem
Luke F. Lester
F. Alexandre
J.-G. Provost
Rozenn Piron
Olivier Dehaese
A. Ramdane
GRILLOT, Frédéric
Center for High Technology Materials (CHTM)
The University of New Mexico [Albuquerque]
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON)
Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes)
Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1)
Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Alcatel Lucent Bell Labs
ALCATEL
Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes)
Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Source :
LEOS, LEOS, Nov 2008, United States
Publication Year :
2008
Publisher :
HAL CCSD, 2008.

Abstract

The alphaH-factor behavior with current is investigated in a 1.52 mum InAs/InP (311B) QD laser. It is shown that due to low gain compression effects, no divergence of the alphaH-factor occurs unlike 1.3 mum InAs/GaAs QD lasers.

Details

Language :
English
Database :
OpenAIRE
Journal :
LEOS, LEOS, Nov 2008, United States
Accession number :
edsair.doi.dedup.....50cd3f375883ffd6423dc395a2368c69