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New method to induce 2D–3D transition of strained CdSe/ZnSe layers

Authors :
Régis André
I. C. Robin
Jean-Michel Gérard
Le Si Dang
Henri Mariette
Serge Tatarenko
Edith Bellet-Amalric
Laboratoire de Spectrométrie Physique (LSP)
Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS)
Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG)
Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA))
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA))
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC)
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG)
Département d'Optronique (DOPT)
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI)
Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA))
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA))
Source :
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 26 (1-4), pp.119-123, 2005, ⟨10.1016/j.physe.2004.08.036⟩, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2005, 26 (1-4), pp.119-123. ⟨10.1016/j.physe.2004.08.036⟩, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Elsevier, 2005, 26 (1-4), pp.119-123. ⟨10.1016/j.physe.2004.08.036⟩
Publication Year :
2005
Publisher :
Elsevier BV, 2005.

Abstract

We present new growth conditions for growing high-quality CdSe/ZnSe quantum dots with photoluminescence emission measurable up to room temperature. The surface morphology is characterized in situ by Reflective High Energy Electron Diffraction (RHEED). The key point is the introduction of a new step in the growth process using amorphous selenium to induce a 2D–3D transition of a CdSe strained layer on ZnSe to form the dots. Optical characterizations by photoluminescence of CdSe/ZnSe quantum dots obtained that way, as well as X-ray diffraction results are also discussed here.

Details

ISSN :
13869477
Volume :
26
Database :
OpenAIRE
Journal :
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
Accession number :
edsair.doi.dedup.....9e5cdc83d5d53d15fc99c427de201f1a