Freestanding-quality dislocation density in semipolar GaN epilayers grown on SOI: aspect ratio trapping

Authors :: Guy Feuillet
Marc Portail
Rami Mantach
Philippe Vennéguès
Philippe De Mierry
Jesús Zúñiga-Pérez
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA)
Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS)
COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA)
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI)
Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA))
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS)
Source :: Applied Physics Express, Applied Physics Express, 2020, 13 (11), pp.115504. ⟨10.35848/1882-0786/abc1cd⟩, Applied Physics Express, IOPScience-Japan Society of Applied Physics, 2020, 13 (11), pp.115504. ⟨10.35848/1882-0786/abc1cd⟩
Publication Year :: 2020
Publisher :: IOP Publishing, 2020.
Abstract: International audience

Subjects :: 010302 applied physics
Materials science
Aspect ratio
business.industry
General Engineering
General Physics and Astronomy
Silicon on insulator
02 engineering and technology
Trapping
021001 nanoscience & nanotechnology
01 natural sciences
Quality (physics)
0103 physical sciences
Optoelectronics
[PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
Dislocation
0210 nano-technology
business
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS

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