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Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Authors :
Taiichi Otsuji
Wojciech Knap
Yahya Moubarak Meziani
Didier Theron
Sylvain Delage
M.A. Poisson
K. Madjour
Frederic Teppe
Nina Dyakonova
Dominique Coquillat
S. Vandenbrouk
A. El Fatimy
Christophe Gaquiere
Groupe d'étude des semiconducteurs (GES)
Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN)
Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Nano and Microsystems - IEMN (NAM6 - IEMN)
Source :
35TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ 2010), 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1, Proceedings of the 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 2010, Italy. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612620⟩, HAL
Publication Year :
2010
Publisher :
HAL CCSD, 2010.

Abstract

We present experimental results on the Terahertz radiation from high electron mobility transistors at room temperature, which clearly show the tunability of the emission frequency by the gate voltage.

Details

Language :
English
Database :
OpenAIRE
Journal :
35TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ 2010), 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1, Proceedings of the 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 2010, Italy. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612620⟩, HAL
Accession number :
edsair.doi.dedup.....cc2ba874e4e7f70c23074fcdc5de59f9