Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-(AlxGa1-x)2O3 alloy films

酸化ガリウムのデバイス応用を目指しβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜成長を行った。Ga前駆体の高い蒸気圧が組成制御上の問題になっていた。本研究では、酸素ラジカルを用いたPLD法を行うことによって前駆体の蒸発を抑え、Al組成制御性の高いβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜成長が可能であること示した。