ナノダイヤモンド中のNVセンター形成のための欠陥エンジニアリング

ナノダイヤモンド中のNVセンター形成後に生体系へ導入および量子センシング・イメージングに向け、より効率的にNVセンター形成させること、ならびに量子性に優れたナノダイヤ中NVセンター形成技術が求められている。電子線照射とその後のNVセンター形成のための熱処理によって、高発光強度のNVセンター形成技術の最適化を図っている。本報告では45nmナノダイヤ における電子線照射量と熱処理条件、そして表面化学処理とNVセンター形成への影響を調べた。その結果熱処理条件を900℃と見出した。一方、電子線照射条件については、4E18cm-2までの照射量について報告したが、窒素含有量の関係からまだまだ照射量が必要であることも判明した。化学処理により未処理にくらべ2倍程度の発光強度の向上も確認した。
第66回応用物理学会春季学術講演会参加の為