Beiträge zur Precursorchemie von GaN-Materialien : Gruppe-III-Amid/Azide und Gruppe-III-Tris(trimethylstannyl)amin- Addukte

Die Dissertation beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von molekularen Vorstufenverbindungen zur Synthese von III-V-Halbleitern. Neben der Synthese intramolekular adduktstabilisierter Amido-Diazide der Erdmetalle wurden addukstabilisierte Gruppe-III-Amide synthetisiert, die sich durch Transaminierungsreaktionen mit Ammoniak und einer anschließenden Temperaturbehandlung zu III-V-Halbleitern umwandeln. Dies wurde durch Schichtwachstum über Spin- coating-Experimente und Sol-Gel-Synthesen erprobt. Des weiteren wurden Donor-Akzeptor-Komplexe von Tris (trimethylstannyl)amin-Derivaten der Erdmetalle hergestellt, die durch thermische Zersetzungen ebenfalls III-V- Halbleiterpulver bilden.