Ảnh hưởng đồng thời của khuyết và điện trường lên tính chất điện tử và nhiệt điện của armchair graphene đơn lớp nanoribbons

Trong nghiên cứu này, cấu trúc armchair graphene đơn lớp nanoribbons (AGNRs) dưới ảnh hưởng của khuyết và tái cấu trúc tạo thành vòng 5-9 được đưa vào tính toán. Phương pháp gần đúng liên kết mạnh (TB) được sử dụng để khảo sát cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu khi không có và có sự xuất hiện của điện trường ngoài. Bên cạnh đó, bài toán nhiệt điện cũng được thực hiện dựa trên phương pháp luận hàm Green. Kết quả khảo sát với M = 15 cho thấy rằng, độ rộng vùng cấm của vật liệu được chia thành hai vùng cấm con nằm quanh mức Fermi. Tùy thuộc vào các vị trí khuyết khác nhau, độ rộng vùng cấm sẽ thay đổi. Đặc biệt, dưới tác động của điện trường song song, độ rộng vùng cấm của vật liệu được điều khiển, dẫn đến sự thay đổi mật độ trạng thái (DOS) và hệ số Seebeck S của vật liệu. Như vậy, sự kết hợp của khuyết và điện trường ngoài mang nhiều tiềm năng để đưa vật liệu graphene hướng đến những ứng dụng trong tương lai.