Компьютерное моделирование устойчивости полупроводниковых наноэлектромеханических систем AIIBIVAs2 после аттосекундного импульсного воздействия

Рассматривается компьютерное моделирование отклика многокомпонентных полупроводниковых наноэлектромеханических систем арсенидов на аттосекундный импульс излучения при криогенной (T1=77 K) и стандартной температуре (Т2=298К). Построены кинетические кривые релаксационных процессов, происходящих в тройных полупроводниковых нанослоях: CdSiAs2, CdGeAs2, ZnSiAs2, ZnGeAs2 и нанослоях переменного состава: CdSi1-xGex As2, ZnSi1-xGexAs2, Cd1-xZnxSiAs2 и Cd1-xZnxGeAs2. Показаны различия в средней энергии релаксации нанослоев в зависимости от температуры, а также амплитуды колебания значений энергии и времени выхода на плато. Показано сравнение с релаксационными процессами, проходящими при абсолютном нуле температур. Рассмотрены радиальные функции распределения атомов в системе до и после релаксационных процессов, вызванных импульсным воздействием на систему атомов в полупроводниковом слое. Описана модификация пиков координационных сфер распределения атомов в зависимости от состава нанослоя. Выявлены закономерности релаксационного изменения координационных сфер первого порядка и разрушения координационных сфер второго и третьего порядка при криогенной и стандартной температурах.