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Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente

Authors :
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència
Universitat Politècnica de Catalunya. EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits
Pérez Delgado, Raúl
Román Lumbreras, Manuel
Velasco Quesada, Guillermo
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència
Universitat Politècnica de Catalunya. EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits
Pérez Delgado, Raúl
Román Lumbreras, Manuel
Velasco Quesada, Guillermo
Publication Year :
2014

Abstract

En este artículo se analiza el comportamiento eléctrico y térmico de transistores PT-IGBT conectados en paralelo utilizando un control activo de reparto equilibrado de corriente. El estudio de la estructura interna y de las ecuaciones que describen el funcionamiento de un transistor IGBT muestra la capacidad de modificar el funcionamiento del transistor según la relación tensión-corriente colector-emisor (VCE-ICE) variando el valor de la tensión puerta-emisor (VGE). Finalmente se comparan los resultados de funcionamiento de los transistores con control de reparto de corriente con los obtenidos sin aplicar ninguna acción de control.<br />Postprint (published version)

Details

Database :
OAIster
Notes :
application/pdf, Spanish
Publication Type :
Electronic Resource
Accession number :
edsoai.on1132977115
Document Type :
Electronic Resource

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Authors Abstract Subjects Details