Epitaxy of group III-nitride materials using different nucleation schemes

Group III-nitride materials, gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN) and indium nitride (InN) have direct band gaps with band gap energies ranging from the infrared (InN) to the ultraviolet (GaN) and to the deep ultraviolet (AlN) wave-lengths, covering the entire spectral range from 0.7 eV to 6.2 eV upon alloying. The invention of the GaN-based blue LEDs, for which the Nobel prize in Physics was awarded in 2014, has opened up avenues for exploration of III-Nitride mate-rial and device technologies, and has inspired generations of researchers in the semiconductor field. Group III-nitrides have also been demonstrated to be among the most promising semiconductors for next generation of efficient high-power, high-temperature and high-frequency electronic devices. The need to build a sustainable and efficient energy system motivates the development of vertical GaN transistors and diodes for applications with power ratings of 50-150 kW, e.g., in electric vehicles and industrial inverters. The key is to grow GaN layers with low concentration of defects (impurities and dislocations), which enables an expansion in both voltage and current ratings and reduction of cost. Despite intense investigations and impressive advances in the field, defects are still a major problem which hinders exploiting the full potential of GaN in power electronics. The aim of this thesis is to perform an in-depth investigation of the growth of GaN and AlGaN under several nucleation mechanisms provided by different underlying substrates. In that regard, four different epitaxial approaches based on different nucleation schemes have been studied: (i) growth of planar GaN layers trough NWs reformation. We investigated GaN layers with different thicknesses on reformed GaN NW templates and highlight this approach as an alternative to the expensive HVPE GaN substrates. The sapphire used as a substrate limits to some extent the reduction of threading dislocations, however, the resulting GaN material pr
Grupp III-nitrider är halvledare med direkta bandgap där bandgapsenergierna spänner från det infraröda till djupt ultravioletta banden. Tillräknade i den gruppen är galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) samt indiumnitrid (InN) som tillsammans kan realisera alla bandgapsenergier från 0.7 eV (InN) till 6.2 eV (AlN) genom legering. Utvecklingen av GaN-baserade blå LED:er, som tilldelades 2014 års Nobelpris i fysik, har öppnat många nya dörrar inom III-nitridforskning och skapat många nya tillämpningar av halvledarmaterial. Till exempel har grupp III-nitrider påvisats mycket lovande som nästa generations högeffekts- och högfrekvenskomponenter inom elektroniken. Efterfrågan på hållbara och effektiva energisystem har drivit utvecklingen av vertikala GaN-transistorer och dioder för tillämpning inom 50-150 kW omfånget, så som elektriska fordon och industriella växelriktare. Nyckeln ligger i att växa lager av GaN med låg konsentration av defekter (orenheter och dislokations), som både kan öka spänningsfönstret och strömstyrkan och samtidigt reducera kostnaden. Defekter har däremot varit svåra att kontrollera och trots mänger av framsteg är det fortfarande den stora utmaningen för att fullt kunna utnyttja potentialen av GaN inom elektronik. Målet i denna avhandling är att utföra fördjupade undersökningar av GaN- och AlGaN-tillväxt vid olika betingade tillväxtmekanismer som funktion av tillväxtsubstrat. Fyra olika epitaxiella tillvägagångsätt har studerats med tillhörande nukleationsmekanismer. (i) Tillväxt av plana GaN-lager genom nanotråd-reformation. Vi har undersökt GaN med olika tjocklekar på omformade GaN nanotråd-mallar och påvisar att metoden är ett alternativ till dyra HVPE GaN-substrat. Safiren som används som substrat begränsar till viss del en reducering av slingrande dislokationer men den resulterande GaN-ytan är jämn och har en termisk ledningsförmåga nära GaN i bulk. (ii) Homoepitaxiell GaN-tillväxt. Vi utvecklade en hetväggs MOCVD-epitaxi som möjliggör en l
Funding agencies: Swedish Research Council (VR) under Grant No. 2016 − 00889, (ii) the Swedish Governmental Agency for Innovation Systems (VINNOVA) under the Competence Center Program, Grant No. 2016 − 05190, (iii) the Swedish Government Strategic Research Area in Materials Science on Functional Materials at Linköping University, Faculty Grant SFO Mat LiU No. 2009 − 00971, and (iv) the Swedish Foundationfor Strategic Research (SSF), under Grant No. EM16 − 0024.