Aproximación de Parámetros Físicos en Silicio Poroso Infiltrado con Óxido de Titanio

Titanium oxide infiltrated in porous silicon system is studied using infrared spectroscopy (FTIR), photoluminescence (FL), scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). The results of characterization and a model proposed in the literature, the parameters of material were determined, such as residual silicon particle size, pore diameter, density of the porous layer, specific surface area and concentration of surface bonds in this. These results allow us to have an idea of what characterizes the material, considering that these depend on several factors during synthesis. The incorporation of titanium oxide was carried out during the process synthesis of porous silicon, this oxide is located on the surface in agglomerates according to the results of SEM and EDS. In this way, the surface of material presents SiHx, TiOx, SiOH and SiOx type bonds according to the FTIR result that participate in the emission of material.
Se estudia el sistema silicio poroso infiltrado con óxido de titanio mediante espectroscopia infrarroja con transformada de Fourier (FTIR), fotoluminiscencia (FL), microscopia electrónica de barrido (SEM) y espectroscopia de rayos X por dispersión en energía (EDS). Con los resultados de la caracterización y utilizando un modelo propuesto en la literatura se determinaron los parámetros del material, como tamaño de partícula de silicio residual, diámetro de poro, densidad de la capa porosa, superficie específica y concentración de enlaces superficiales en este; estos resultados permiten tener una idea de lo que caracteriza al material, considerando que estos dependen de varios factores durante la síntesis. La incorporación del óxido de titanio se llevó a cabo durante el proceso de síntesis del silicio poroso, este óxido se localiza sobre la superficie en aglomerados de acuerdo con los resultados de SEM y EDS. De esta forma la superficie del material presenta enlaces de tipo SiHx, TiOx, SiOH y SiOx de acuerdo con el resultado de FTIR que participan en la emisión del material.