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Mes travaux postoctoraux ont commencé par un séjour théorique de un an à Aarhus, au Danemark où j'ai travaillé avec Klaus Moelmer sur des méthodes de compression de spin d'une assemblée d'atomes. Je suis ensuite entrée au Laboratoire Charles-Fabry de l'Institut d'Optique, dans l'équipe de Chris Westbrook et Alain Aspect, en tant que chargée de recherche au CNRS. J'ai participé à la mise en place d'une nouvelle expérience de puce atomique. Dans une telle expérience, les atomes sont piégés dans des pièges magnétiques réalisés par des micro-fils déposés sur un substrat et des guides magnétiques de très fort confinement transverse peuvent être réalisés. Mes travaux, théoriques et expérimentaux, sont tous en lien avec cette expérience et ils concernent la physique des gaz très allongés et les propriétés des micro-guides magnétiques. Une application envisagée des puces atomiques est la réalisation d'un interféromètre à atomes guidés. Sur le plan purement théorique, je me suis intéressée, à l'effet des interactions entre atomes dans un ''laser à atomes'' guidé. Une séparatrice cohérente pour atomes peut être réalisée par couplage tunnel entre deux guides et nous avons proposé une méthode expérimentale pour réaliser un tel couplage. J'ai étudié différents aspects théoriques liés à cette proposition. D'autre part, nous avons utilisé étudié expérimentalement la transition vers un quasi-condensat dans un gaz de Bose très allongé. Nous avons pour cela mis au point une technique de mesure des fluctuations de densité. Nous avons mis en évidence l'échec d'une analyse de type champ moyen qui néglige les corrélations entre atomes. Sur le plan théorique, j'ai étudié la transition dans le cas d'un gaz purement unidimensionnel. Enfin nous avons déterminé l'origine de la rugosité d'un guide magnétique produit par un micro-fil. Nous avons mis en évidence une méthode pour s'affranchir de cette rugosité, qui constituait une limite importante des puces atomique.

In the experiment presented in this thesis, Cesium atoms were trapped in a non-dissipative, intensity lattice produced by two Nd:YAG laser beams. Vertically, atoms are confined in independent micro-planes at each intensity maximum. The gaussian shape of the beams provides the horizontal confinement. Thanks to the strong vertical confinement, we could develop an optical sideband cooling method which accumulates about 95\% of the atoms in the ground state of the vertical motion. From this state, which is almost pure, we prepared other pure quantum states and, using an absoption imaging technique, we visualized directly their velocity distribution. First, we produced the first excited state of motion whose velocity distribution is zero for $v=0$. We also produced non stationary states and visualized the temporal evolution of their velocity distribution. In this way, the evolution of a superposition of the first two vibrationnal states and that of squeezed states have been recorded. Squeezed states are, as the ground state, minimum uncertainty states ($\Delta p \Delta z=\hbar/2$), but their velocity distribution is narrower than that of the ground state. A compression of the velocity distribution by a factor 4 has been obtained. By applying the cooling of the vertical motion for a long time, thanks to the energy transfer from the horizontal to the vertical direction provided by the collisions, we cooled the movement in all three directions. In this way, we obtained a temperature $T \simeq 3\,\mu$K for which 80\% of the atoms are in the ground state of the vertical movement. The gas thus realized is pratically a two-dimensionnal gas. Finally, the study of thermalization showed that the scattering resonnance at zero energy of Cesium is not affected by the strong vertical confinement.; Les expériences présentées dans ce mémoire ont été effectuées sur des atomes de Césium piégés dans un réseau lumineux non dissipatif produit par deux faisceaux d'un laser Nd:YAG. Verticalement, les atomes sont confinés dans des micro-puits indépendants au fond de chaque maximum d'intensité et le confinement horizontal est assuré par la forme gaussienne des faisceaux. Le fort confinement vertical nous a permis, en mettant au point un refroidissement optique par bandes latérales, d'accumuler environ 95% des atomes dans l'état fondamental du mouvement dans la direction verticale. A partir de cet état quantique pratiquement pur, nous avons produit d'autres états quantiques et, grâce à une technique d'imagerie en absorption, nous avons visualisé directement leur distribution en vitesse. Tout d'abord, nous avons réalisé le premier état excité du mouvement des atomes dont la distribution en vitesse s'annule en v=0. Nous avons ensuite réalisé des états non stationnaires du mouvement et visualisé l'évolution temporelle de leur distribution en vitesse. Ainsi, l'évolution d'une superposition des deux premiers niveaux vibrationnels et celle d'états comprimés ont été enregistrées. Les états comprimés sont, comme l'état fondamental, des états d'incertitude minimum (Delta p Delta z=\hbar/2) mais leur distribution en impulsion est plus fine que celle de l'état fondamental. Une réduction d'un facteur 4 a été obtenue. En appliquant le refroidissement du mouvement vertical pendant un temps long, grâce au transfert d'énergie du mouvement horizontal au mouvement vertical assuré par les collisions, nous avons refroidi le mouvement dans les trois directions. Nous avons ainsi obtenu une température d'environ 3 microKelvin pour laquelle 80\% des atomes sont dans l'état fondamental du mouvement vertical. Enfin, une étude de temps de thermalisation montre que la résonnance de diffusion à énergie nulle du Cesium n'est pas affectée par le fort confinement vertical.

In the experiment presented in this thesis, Cesium atoms were trapped in a non-dissipative, intensity lattice produced by two Nd:YAG laser beams. Vertically, atoms are confined in independent micro-planes at each intensity maximum. The gaussian shape of the beams provides the horizontal confinement. Thanks to the strong vertical confinement, we could develop an optical sideband cooling method which accumulates about 95% of the atoms in the ground state of the vertical motion. From this state, which is almost pure, we prepared other pure quantum states and, using an absoption imaging technique, we visualized directly their velocity distribution. First, we produced the first excited state of motion whose velocity distribution is zero for v = 0. We also produced non stationary states and visualized the temporal evolution of their velocity distribution. In this way, the evolution of a superposition of the first two vibrationnal states and that of squeezed states have been recorded. Squeezed states are, as the ground state, minimum uncertainty states (ΔpΔz = \hbar /2), but their velocity distribution is narrower than that of the ground state. A compression of the velocity distribution by a factor 4 has been obtained. By applying the cooling of the vertical motion for a long time, thanks to the energy transfer from the horizontal to the vertical direction provided by the collisions, we cooled the movement in all three directions. In this way, we obtained a temperature T ~ 3 µK for which 80% of the atoms are in the ground state of the vertical movement. The gas thus realized is pratically a two-dimensionnal gas. Finally, the study of thermalization showed that the scattering resonnance at zero energy of Cesium is not affected by the strong vertical confinement., Les expériences présentées dans ce mémoire ont été effectuées sur des atomes de Césium piégés dans un réseau lumineux non dissipatif produit par deux faisceaux d'un laser Nd:YAG. Verticalement, les atomes sont confinés dans des micro-puits indépendants au fond de chaque maximum d'intensité et le confinement horizontal est assuré par la forme gaussienne des faisceaux. Le fort confinement vertical nous a permis, en mettant au point un refroidissement optique par bandes latérales, d'accumuler environ 95% des atomes dans l'état fondamental du mouvement dans la direction verticale. A partir de cet état quantique pratiquement pur, nous avons produit d'autres états quantiques et, grâce à une technique d'imagerie en absorption, nous avons visualisé directement leur distribution en vitesse. Tout d'abord, nous avons réalisé le premier état excité du mouvement des atomes dont la distribution en vitesse s'annule en v = 0. Nous avons ensuite réalisé des états non stationnaires du mouvement et visualisé l'évolution temporelle de leur distribution en vitesse. Ainsi, l'évolution d'une superposition des deux premiers niveaux vibrationnels et celle d'états comprimés ont été enregistrées. Les états comprimés sont, comme l'état fondamental, des états d'incertitude minimum (ΔpΔz = \hbar /2) mais leur distribution en impulsion est plus fine que celle de l'état fondamental. Une réduction d'un facteur 4 a été obtenue. En appliquant le refroidissement du mouvement vertical pendant un temps long, grâce au transfert d'énergie du mouvement horizontal au mouvement vertical assuré par les collisions, nous avons refroidi le mouvement dans les trois directions. Nous avons ainsi obtenu une température T ~ 3 µK pour laquelle 80% des atomes sont dans l'état fondamental du mouvement vertical. Enfin, une étude de temps de thermalisation montre que la résonance de diffusion à énergie nulle du Cesium n'est pas affectée par le fort confinement vertical.

The development of passive optical networks and the increase of short-reach connections make an increasing need for efficient, energy-friendly and low-cost transmitters emitting at 1.3 µm.To this end, monolithic photonic integration, which aims to embed several optical functions into the same circuit, is a solution. Selective area growth (SAG) by metal-organic vapor-phase-epitaxy (MOVPE) seems to be an attractive technique to achieve this integration. This approach allows defining, in a single epitaxial step, the structures of the different unitary photonic functions constituting the photonic integrated circuit. One issue of this technique is the growth modeling, necessary to predict the material distribution. Previously, the model was only taking into account vapor phase diffusion phenomena, neglecting surface phenomena. Consequently a more accurate approach was developed, based on interface relaxation.Simultaneously, we designed seven different active structures, all based on AlGaInAs multi-quantum wells, in order to optimize the DML and EML devices emitting at 1.3µm . We performed wide area laser and photocurrent absorption measurements to select the best trade-off design for devices fabrication.In order to perform accurate SAG of the selected structure, experimental study has been done to optimize the growth using transmission electronic microscopy and X-ray micro-diffraction. Devices have been processed and exhibit state of the art performances. A bandwidth of 12.5 GHz was demonstrated for a 250 µm long DML and 32 Gbit/s open eye diagram with a 10 dB dynamic extinction ratio has been shown, on a EML with a 100 µm long EAM., Le développement des réseaux optiques et l’augmentation des interconnexions à courtes distances, amènent un besoin croissant en transmetteurs émettant à 1,3 µm, performants, peu énergivores et fabriqués à bas coût.Ainsi, l’intégration photonique monolithique, qui vise à juxtaposer plusieurs fonctions optiques dans un même circuit, est une solution. L’épitaxie sélective en phase vapeur aux organo-métalliques est une technique prometteuse pour cela. Elle permet, en une seule étape de croissance, de définir les structures des différents composants unitaires constituant le circuit intégré photonique. Il est nécessaire d’avoir un outil de simulation qui permet de modéliser la croissance sélective. Auparavant la modélisation proposée ne prenait en compte que des phénomènes de diffusion en phase vapeur et négligeait les phénomènes de surface. Une modélisation plus précise a été développée, fondée sur la relaxation de l’interface. En parallèle, nous avons conçu sept différentes structures actives, à base de multi-puits quantiques en matériaux AlGaInAs pour des composants DML et EML émettant à 1.3 µm. Nous avons fait des mesures de laser à contacts larges et des mesures d’absorption en photo-courant, pour sélectionner la meilleure structure.Une étude expérimentale de la croissance, à partir de microscopie électronique en transmission et de micro-diffraction aux rayons X, a permis de réaliser l’épitaxie sélective de la structure sélectionnée. Les composants fabriqués ont des performances à l’état de l’art avec une bande passante de 12,5 GHz pour un DML de 250 µm ainsi qu’un diagramme de l’œil ouvert à 32 Gbit/s avec un taux d’extinction dynamique de 10 dB, pour en EML.

This thesis focuses on the development, fabrication and use of optically pumped vertical external cavity surface emitting lasers (VECSEL), to achieve short pulse sources at high repetition rate emitting at 1550nm. These sources are opening the door to interesting applications in optical communications to achieve very high repetition rate transmitters, or high speed linear optical sampling The objectives of this thesis were, in a first step, to develop and implement VECSEL structures containing an active zone formed by GaAlInAs/InP quantum wells located at the anti-nodes of the resonant electric field, positioned on a Bragg mirror, all this being bonded to a substrate of good thermal conductivity. For this, we have designed structures optimizing the evacuation of heat generated in the active zone. This has greatly improved the VECSEL performances, especially their output power. The VECSEL performances were evaluated in a simple cavity with two mirrors (plane-concave). The second point was to develop and implement SESAM structures which, owing to their nonlinear characteristics, would allow a passively mode-locked laser operation. The structures contained InGaAsN/GaAs quantum wells. The studied parameters were the number of quantum wells, and the resonant or anti-resonant behavior of the structure. The linear and nonlinear optical characterizations were used to optimize the SESAM structure and estimate their performances. Finally, the compatibility between the VECSEL and SESAM structures, in terms of modulation depth and resonance wavelength, made it possible to obtain the passive mode locking operation. The obtained pulses show two different behaviors depending on the dispersion properties of the structures. With low dispersion, we have made the first demonstration of a passively mode-locked VECSEL at 1550nm, operating at room temperature. An all-optical sampling device implementing the linear optical sampling technique using short laser pulses has been realized and tested. This device will allow displaying eye diagrams and constellation diagrams with an expected sensitivity around -20dBm of average power. Testing the device allowed to visualize the acquisition of very high repetition rate signals (40 Gb/s)., Cette thèse porte sur l'élaboration et l'utilisation de structures semi-conductrices à émission laser par la surface en cavité externe (VECSEL) en pompage optique pour la réalisation de sources d'impulsions brèves à haut taux de répétition émettant à 1550nm. Ces sources ouvrent la voie à des applications intéressantes dans les télécommunications optiques pour réaliser des émetteurs à très haut débit ou pour l'échantillonnage optique linéaire ultra-rapide. Les objectifs de ce travail de thèse étaient, dans un premier temps, de développer et réaliser des structures VECSEL, qui contiennent une zone active formée par des puits quantiques GaAlInAs/InP localisés aux maxima du champ électrique résonant, positionnée sur un miroir de Bragg, le tout étant reporté par brasure sur un substrat de bonne conductivité thermique. Pour cela, nous avons conçu des structures permettant d'accélérer l'évacuation de la chaleur accumulée dans la zone active, ce qui a permis d'améliorer les performances du VECSEL, notamment la puissance de sortie. Les performances des VECSEL ont été évaluées dans une cavité simple à deux miroirs (plan-concave). Le second point était de développer et réaliser des structures SESAMs, qui permettent, par leur comportement non linéaire, d'obtenir un fonctionnement en verrouillage de modes passif. Les structures, contenant des puits quantiques InGaAsN/GaAs, ont pour paramètres : le nombre de puits quantique, la résonance de la structure. Les caractérisations optiques en régime linéaire et non linéaire ont permis d'optimiser les structures SESAM et d'estimer leurs performances. Enfin, la compatibilité entre les structures de VECSEL et de SESAM en terme de profondeur de modulation et de longueur d'onde de résonance, a permis d'obtenir un verrouillage de mode passif dans une cavité à quatre miroirs. Les impulsions obtenues présentent deux comportements différents suivant les propriétés de dispersion des structures. La réalisation d'une faible dispersion a permis d'obtenir la première démonstration d'un VECSEL en verrouillage de modes passif fonctionnant à 1550 nm et à température ambiante. Un dispositif d'échantillonnage tout optique mettant en oeuvre l'échantillonnage optique linéaire basé sur l'utilisation d'une source d'impulsions brèves, a été réalisé et testé. Ce dispositif permettra d'obtenir des diagrammes de l'oeil et diagrammes de constellation avec une sensibilité attendue de l'ordre de -20dBm de puissance moyenne, sur des signaux porteurs de données à 10Gbit/s, voire 40 Gb/s. Les tests effectués ont permis de visualiser l'acquisition à très haut débit (40Gb/s).

The main goal of the present work was to investigate the elaboration of submicronic catalysts. This program was developed in the frame of an European project on ’micropowder processing by using low pressure plasma technologies’. The guideline was to use the properties of dusty plasma for particle growth in an RF (13.56 MHz) capacitive discharge and for further particle coating of thin Palladium layers.Two different ways for particles synthesis have been investigated. These two processes have been studied both in terms of plasma chemistry and particles properties. In each case, the overall pressure is maintained at 15 Pa, the partial pressure of Silane and Methane being respectively of 6 Pa and 10 Pa.In the first process the reactive gas flow is a permanent one. This process, for plasma duration of 20 s and RF power of 80 W, leads to particles with a broad size dispersion (20-200 nm) and partial crystalline -SiC properties. This size dispersion is connected to successive nucleations’ phenomena.A two steps sequential growth has been developed using a RF lower power (20 W). The methane feeding is delayed for 5 s after an initial step of particle growth in an Ar/SiH 4 plasma. This process leads to particles which present a core of a-Si:H and an external layer of a-SiC:H. Their size distribution is a narrow one (80+/-5 nm).The pulsed regime of gas feeding allows access to the destruction frequencies of the monomer molecules. Both optical and mass spectrometric data emphasise the role played by the highly energetic dusty discharge on the plasma chemistry and particle growth.The Palladium coverage of the particles grown by the two steps process has been achieved in the same reactor. The sputtering of a negative biased wires leads to atomic vapour production. A particle coverage by small (2 nm) Pd clusters is thus obtained, in spite of the electrostatic repulsion of the palladium wire on the particles.; Spécialité : Physique des plasmas soutenue le 27 novembre 1997 devant la commission d'examen :Ce travail a été effectué dans le cadre d’un programme de recherche européen BRITE-EURAM appelé ’micropowder processing by low pressure plasma technologies’. Nous avons développé dans ce cadre une méthode de synthèse de catalyseurs sous la forme de particules submicroniques de SiC recouvertes de Palladium. Une approche séquentielle de la synthèse, du stockage en plasma inerte puis de la métallisation dans un réacteur unique a été retenue.Le réacteur utilisé est une décharge radiofréquence (13,56 MHz) de type capacitive. La synthèse des particules a été étudiée dans une situation de gaz réactifs (SiH 4 +CH 4 ) dilués dans de l’argon, selon deux protocoles :- sous forte puissance RF (80 W) en limitant la durée des flux de SiH 4 et CH 4 à 20 s- à puissance réduite (20 W) avec une étape de croissance de 5 s en plasma Ar/SiH 4 , suivie d’une phase de croissance en Ar/SiH 4 /CH 4 .Seule la seconde approche a permis de synthétiser des particules de taille bien définie (80 nm). En termes de matériau la première approche conduit à des poudres de type microcristallin alors que la deuxième conduit à un matériau amorphe.Nous avons mis en évidence par spectroscopie optique et spectrométrie de masse le caractère très énergétique des plasmas poudreux : forte exaltation des taux d’excitation et de dissociation. Un bilan de la physico-chimie du plasma en situation Ar/CH 4 et Ar/SiH 4 /CH 4 a pu être effectué grâce aux données spectroscopiques.La seconde partie de la thèse porte sur l’habillage en Pd de ces poudres. L’apport de métal est obtenu par pulvérisation ionique de filaments palladium. L’étude a mis en évidence la difficulté d’obtenir simultanément une forte densité de vapeur Pd et une densité importante de poudres. Néanmoins l’analyse de surface qui met en évidence à la fois la très forte surface spécifique des particules support (125 m2 .g-1 ) etl’ancrage d’agrégats nanométriques de Pd, souligne l’intérêt d’une voie plasma pour la synthèse de catalyseurs.

The main goal of the present work was to investigate the elaboration of submicronic catalysts. This program was developed in the frame of an European project on ’micropowder processing by using low pressure plasma technologies’. The guideline was to use the properties of dusty plasma for particle growth in an RF (13.56 MHz) capacitive discharge and for further particle coating of thin Palladium layers.Two different ways for particles synthesis have been investigated. These two processes have been studied both in terms of plasma chemistry and particles properties. In each case, the overall pressure is maintained at 15 Pa, the partial pressure of Silane and Methane being respectively of 6 Pa and 10 Pa.In the first process the reactive gas flow is a permanent one. This process, for plasma duration of 20 s and RF power of 80 W, leads to particles with a broad size dispersion (20-200 nm) and partial crystalline -SiC properties. This size dispersion is connected to successive nucleations’ phenomena.A two steps sequential growth has been developed using a RF lower power (20 W). The methane feeding is delayed for 5 s after an initial step of particle growth in an Ar/SiH 4 plasma. This process leads to particles which present a core of a-Si:H and an external layer of a-SiC:H. Their size distribution is a narrow one (80+/-5 nm).The pulsed regime of gas feeding allows access to the destruction frequencies of the monomer molecules. Both optical and mass spectrometric data emphasise the role played by the highly energetic dusty discharge on the plasma chemistry and particle growth.The Palladium coverage of the particles grown by the two steps process has been achieved in the same reactor. The sputtering of a negative biased wires leads to atomic vapour production. A particle coverage by small (2 nm) Pd clusters is thus obtained, in spite of the electrostatic repulsion of the palladium wire on the particles., Spécialité : Physique des plasmas soutenue le 27 novembre 1997 devant la commission d'examen :Ce travail a été effectué dans le cadre d’un programme de recherche européen BRITE-EURAM appelé ’micropowder processing by low pressure plasma technologies’. Nous avons développé dans ce cadre une méthode de synthèse de catalyseurs sous la forme de particules submicroniques de SiC recouvertes de Palladium. Une approche séquentielle de la synthèse, du stockage en plasma inerte puis de la métallisation dans un réacteur unique a été retenue.Le réacteur utilisé est une décharge radiofréquence (13,56 MHz) de type capacitive. La synthèse des particules a été étudiée dans une situation de gaz réactifs (SiH 4 +CH 4 ) dilués dans de l’argon, selon deux protocoles :- sous forte puissance RF (80 W) en limitant la durée des flux de SiH 4 et CH 4 à 20 s- à puissance réduite (20 W) avec une étape de croissance de 5 s en plasma Ar/SiH 4 , suivie d’une phase de croissance en Ar/SiH 4 /CH 4 .Seule la seconde approche a permis de synthétiser des particules de taille bien définie (80 nm). En termes de matériau la première approche conduit à des poudres de type microcristallin alors que la deuxième conduit à un matériau amorphe.Nous avons mis en évidence par spectroscopie optique et spectrométrie de masse le caractère très énergétique des plasmas poudreux : forte exaltation des taux d’excitation et de dissociation. Un bilan de la physico-chimie du plasma en situation Ar/CH 4 et Ar/SiH 4 /CH 4 a pu être effectué grâce aux données spectroscopiques.La seconde partie de la thèse porte sur l’habillage en Pd de ces poudres. L’apport de métal est obtenu par pulvérisation ionique de filaments palladium. L’étude a mis en évidence la difficulté d’obtenir simultanément une forte densité de vapeur Pd et une densité importante de poudres. Néanmoins l’analyse de surface qui met en évidence à la fois la très forte surface spécifique des particules support (125 m2 .g-1 ) etl’ancrage d’agrégats nanométriques de Pd, souligne l’intérêt d’une voie plasma pour la synthèse de catalyseurs.

A study has been undertaken of the plasma source of an "helicon" reactor which can be used for semiconductor etching. We used an Ar-He-F2 mixtures at pressures between 4 and 20 mT with variable compositions. Microwave interferometry at 68 GHz was used to measure electron density values that lie between 0.4 and 2 10^12 cm-3 according to pressure and RF conditions. With the aid of measured helium spectral line intensities we established a radiative collisional model of the discharge. It enabled us to characterise the electron density distribution function (eedf). A two-temperature was chosen to describe this eedf. The gas temperature found to be about 850 K was measured by laser absorption which allowed to measure the Ar 4s level densities and to validate the self-absorption technique. The fluorine lines kinetics was studied, and enabled the first measurements of the fluorine electronic excitation coefficients. These data together with the knowledge of the population channels for Ar and He excited levels show the limits of actinometryr applicability. A theoretical approach is presented to show the different processes responsible for the discharge maintenance and energy deposition., Ce travail porte sur l'étude du plasma source d'un réacteur de type "hélicon" pouvant être utilisé pour la gravure des semiconducteurs. Nous utilisons un mélange Ar-He-F2 à des pressions variant de 4 à 20 mTorr avec des conditions de mélanges variables. L'interférométrie microondes (68 GHz) a été utilisée pour mesurer la densité électronique dont les valeurs vont de 0.4 à 2 10^12 cm-3 selon les conditions de pression et de puissance RF. En se basant sur la mesure de l'intensité des raies spectrales de l'He, nous avons établi un modèle collisionnel radiatif de la décharge. Il nous a permis de caractériser la fonction de distribution en énergie des électrons (fdee). Un modèle à deux températures a été choisi pour décrire cette fdee. La variation de ces températures en fonction des conditions de décharge est présentée. La température du gaz, trouvée de 850 K, a été mesurée par absorption laser qui a permis de mesurer la densité des niveaux 4s d'Ar et de valider la technique d'auto-absorption. La cinétique des raies fluor a été étudiée et a permis d'obtenir pour la première fois les coefficients d'excitation électroniques du fluor. Ces données ainsi que la mise en évidence des voies de population des états excités d'Ar et d'He montrent les limites de l'applicabilité de l'actinométrie. Une approche théorique est présentée pour montrer l'importance des différents processus responsables de l'entretien de la décharge et du dépôt d'énergie.