1. Quantum Dash-based Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser on InP
- Author
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Pes, Salvatore, Levallois, Christophe, Paranthoen, Cyril, Chevalier, Nicolas, Hamel, Cyril, Gomez, Carmen, Harmand, Jean-Christophe, Bouchoule, Sophie, Folliot, Hervé, Alouini, Mehdi, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR, DGA, Région Bretagne, ANR-14-ASTR-0007,HYPOCAMP,Lasers à cavités verticales accordables hybrides , contrôlées en polarisation et entièrement monolithiques pour la conception systèmes optiques et micro-ondes embarqués et compacts.(2014), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)
- Subjects
Semiconductor disk laser ,Laser linewidth ,[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics] ,Vertical External Cavity Surface-Emitting Lasers ,[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic ,[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] ,VECSEL ,[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ,InP based devices ,Quantum dash laser ,[SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials - Abstract
International audience; An Optically-Pumped InAs Quantum Dash-based Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser (OP-QDH-VECSEL) on InP is demonstrated. In multi-mode operation, the device emits up to 163 mW at T=20°C (pump limited) in the 1615-1628 nm wavelength range. When forced to oscillate in the single-frequency regime, it shows a maximum output power of 7.9 mW at 1610 nm, for a T=19.5°C. The emitted light is linearly polarized along the QDH growth direction ([1-10] crystallographic axis). The single-frequency linewidth of the OP-QDH-VECSEL has been estimated to 22 kHz, for a cavity length of 49 mm.
- Published
- 2017