Search

Nanostructured thin films on a silicon substrate were obtained using a high-frequency pulse-periodic f-10-15 kHz laser action at a wavelength y = 1.064 µm, a power density q = 85 MW/cm 2, and a pressure in a vacuum chamber p = 2*10-2 mm Hg on zinc oxide ceramics doped with scandium oxide. The morphology of the obtained films was studied using atomic force microscopy. Методом высокочастотного импульсно-периодического (f -10-15 кГц) лазерного воздействия с длиной волны y = 1.064 мкм и плотностью мощности q = 85 МВт/см 2 на керамику из оксида цинка, легированную оксидом скандия, при давлении в вакуумной камере p = 2*10-2 мм рт. ст. получены наноструктурированные тонкие пленки на кремниевой подложке. Изучена морфология полученных пленок с помощью атомно-силовой микроскопии.

Методом высокочастотного импульсно-периодического (f -10-15 кГц) лазерного воздействия с длиной волны y = 1.064 мкм и плотностью мощности q = 85 МВт/см 2 на керамику из оксида цинка, легированную оксидом скандия, при давлении в вакуумной камере p = 2*10-2 мм рт. ст. получены наноструктурированные тонкие пленки на кремниевой подложке. Изучена морфология полученных пленок с помощью атомно-силовой микроскопии. Nanostructured thin films on a silicon substrate were obtained using a high-frequency pulse-periodic f-10-15 kHz laser action at a wavelength y = 1.064 µm, a power density q = 85 MW/cm 2, and a pressure in a vacuum chamber p = 2*10-2 mm Hg on zinc oxide ceramics doped with scandium oxide. The morphology of the obtained films was studied using atomic force microscopy.

Проведены исследования тонких пленок, осажденных в вакууме (2*10-2 мм рт. ст.) на кремниевую и стеклянную подложки при многоимпульсном высокочастотном (10-15 кГц) лазерном воздействии (плотность мощности лазерного излучения 100 МВт/см2 и расстояние от мишени до подложки 40 мм), на керамику из оксида циркония ZrO2, легированную оксидом иттрия 5 % Y2O3. The thin films deposited in vacuum (2*10-2 mm Hg) on the silicon and glass substrates under the multi-pulse high-frequency (10-15 kHz) laser exposure (laser radiation power density 100 MW/cm2 and the distance from the target to the substrate 40 mm) for zirconium oxide ZrO2 ceramics doped with yttrium oxide 5 % Y2O3.