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307 results on '"Danneville, F."'

8. Sb-HEMT: toward 100-mV cryogenic electronics

Author

Noudeviwa, A., Roelens, Y., Danneville, F., Olivier, A., Wichmann, N., Waldhoff, N., Lepilliet, S., Dambrine, G., Desplanque, L., Wallart, X., Moschetti, G., Grahn, J., and Bollaert, S.

Subjects
Field-effect transistors -- Innovations, Indium -- Electric properties, Voltage -- Measurement, Simulation methods -- Usage, Business, Electronics, Electronics and electrical industries
Published
2010

9. Thermal noise in MOSFETs: a two- or a three-parameter noise model?

Author

Emam, M., Sakalas, P., Vanhoenacker-Janvier, D., Raskin, J.-P., Tao Chuan Lim, and Danneville, F.

Subjects
Metal oxide semiconductor field effect transistors -- Innovations, Frequency modulation -- Measurement, Complementary metal oxide semiconductors -- Usage, Simulation methods -- Usage, Business, Electronics, Electronics and electrical industries
Published
2010

15. Noise parameters of SiGe HBTs in mmW range: towards a full in situ measurement extraction

Author

Danneville, F., primary, Deng, M., additional, Bouvot, S., additional, Goncalves, J. Azevedo, additional, Lepilliet, S., additional, Ducournau, G., additional, Gaquiere, C., additional, Dambrine, G., additional, Bossuet, A., additional, Quemerais, T., additional, Lauga-Larroze, G. E., additional, Fournier, J-M, additional, Chevalier, P., additional, and Gloria, D., additional

Published
2017
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17. Oscillateur verrouillé par injection sous-harmonique à 285 GHz en technologie CMOS 65nm

Author

Moron Guerra, J., Siligaris, A., Lampin, J.F., Danneville, F., Vincent, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

18. 120nm AlSb/InAs HEMT without gate recess : 290GHz fT and 335GHz fmax

Author

Gardes, C., BAGUMAKO, S.M., Desplanque, L., Wichmann, N., Danneville, F., Bollaert, S., Wallart, X., Roelens, Y., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013
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19. HEMTs 100nm AlSb/InAs pour applications faible bruit, faible consommation

Author

BAGUMAKO, S., Gardes, C., Desplanque, L., Wichmann, N., Danneville, F., Bollaert, S., Wallart, X., Roelens, Y., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

20. High performance GaN on Si transistors up to 40 GHz

Author

Medjdoub, F., Zegaoui, M., Grimbert, B., Tagro, Y., Ducatteau, D., Danneville, F., Rolland, N., Rolland, P.A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Published
2012

21. Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm

Author

Mo, J., Olivier, A., Wichmann, N., Roelens, Y., Desplanque, L., Wallart, X., Danneville, F., Dambrine, G., Martin, F., Desplats, O., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

22. Self aligned 200nm In0.53Ga0.47As

Author

Olivier, A., Mo, J.J., Wichmann, N., Roelens, Y., Desplanque, L., Wallart, X., Danneville, F., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

23. 120nm AlSb/InAs HEMTs

Author

Roelens, Y., Olivier, A., Noudeviwa, A., Desplanque, L., Danneville, F., Wichmann, N., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

24. Optimisation des performances à faible tension de polarisation de HEMTs de la filière antimoine

Author

Noudeviwa, A., Olivier, A., Roelens, Y., Danneville, F., Wichmann, N., Waldhoff, N., Desplanque, L., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

25. Assessment of III-V MOSFET architectures for low power applications using static and dynamic numerical simulation

Author

Shi, Minghua, Saint-Martin, J., Bournel, A., Querlioz, D., Dollfus, P., Mo, J.J., Wichmann, N., Desplanque, L., Wallart, X., Danneville, F., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011
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27. Fabrication and characterization of 200-nm self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFET

Author

Olivier, O., Wichmann, N., Mo, J.J., Noudeviwa, A., Roelens, Y., Desplanque, L., Wallart, X., Danneville, F., Dambrine, G., Martin, F., Desplats, O., Wang, Y., Chauvat, M.P., Ruterana, P., Maher, H., Saint-Martin, J., Shi, Minghua, Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut d'électronique fondamentale (IEF), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and OMMIC

Subjects
Fabrication, [SPI]Engineering Sciences [physics], Lithography, MOSFET circuits, Ion implantation, Wet etching, Aluminum oxide, Gold, Sputter etching, Annealing, Indium gallium arsenide
Abstract

International audience; In this paper, a 200 nm n-channel inversion-type self-aligned In 0.53 Ga 0.47 As MOSFET with a Al 2 O 3 gate oxide deposited by Atomic Layer Deposition (ALD) is demonstrated. Two ion implantation processes using silicon nitride side-wall are performed for the fabrication of the n-type source and drain regions. The 200 nm gate-length MOSFET with a gate oxide thickness of 8 nm features the transconductance of 70 mS/mm and the maximum drain current of 200 mA/mm.

Published
2010
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28. Report hétérogène de dispositifs et circuits CMOS RF sur substrat souple

Author

Lecavelier Des Etangs-Levallois, A., Dubois, E., Danneville, F., Gloria, D., Raynaud, C., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

29. Graded channel concept for improving RF noise of an industrial 0.15 µm SOI CMOS technology

Author

Emam, M., Sakalas, P., Kumar, A., Ida, J., Vanhoenacker-Janvier, D., Raskin, J., Danneville, F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

30. Metallic source/drain for advanced MOS architectures : from material engineering to device integration

Author

Dubois, E., Larrieu, G., Breil, N., Valentin, R., Danneville, F., Yarekha, D., Reckinger, N., Tang, Xing, Halimaoui, A., Rengel, R., Pascual, E., Pouydebasque, A., Wallart, X., Godey, S., Ratajczak, J., Laszcz, A., Katcki, J., Raskin, J.P., Dambrine, G., Cros, A., Skotnicki, T., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2009

31. Experimental evidence of MOSFET high frequency noise reduction by channel engineering

Author

Emam, M., Sakalas, P., Vanhoenacker-Janvier, Danielle, Raskin, Jean-Pierre, Lim, T., Danneville, F., and UCL - SST/ICTM/ELEN - Pôle en ingénierie électrique

Abstract

In this paper, measured RF noise performance of graded-channel metal–oxide–semiconductor (MOS) transistors (GCMOS—also named laterally asymmetric channel transistors) shows impressive reduction in minimum noise figure (NFmin) as compared to classical MOSFET transistors (with the same gate length Lg = 0.5 μm). The reason is proven to be because of the higher noise correlation coefficient (C). GCMOS also shows lower sensitivity to extrinsic thermal noise as compared to classical MOSFET. Moreover, it is demonstrated that the use of 0.5-μm-gate-length GCMOS gives a competitive RF noise performance as compared to 0.25-μm-gate-length classical nMOS transistors.

Published
2009

32. Metallic source/drain architecture for advanced MOS technology : an overview of METAMOS results

Author

Dubois, E., Larrieu, G., Breil, N., Valentin, R., Danneville, F., Yarekha, D., Reckinger, N., Tang, Xing, Halimaoui, A., Rengel, R., Pascual, E., Pouydebasque, A., Wallart, X., Godey, S., Ratajczak, J., Laszcz, A., Katcki, J., Raskin, J.P., Dambrine, G., Cros, A., Skotnicki, T., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2009

33. Conception de circuits 60 GHz pour système Ultra Large Bande en technologie BiCMOS SiGe

Author

Devulder, M., Telliez, I., Pruvost, S., Danneville, F., Rolland, N., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2007

34. High frequency figures of merit of conventional and Schottky barrier MOSFETs

Author

Danneville, F., Valentin, R., Dubois, E., Dambrine, G., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2007

35. An investigation of high temperature effects on CPW and MSL on SOI substrate for RF applications

Author

Si Moussa, M., Pavageau, C., Lederer, Dimitri, Picheta, L., Danneville, F., Raskin, Jean-Pierre, Fel, N., Russat, J., Vanhoenacker-Janvier, Danielle, and UCL - SST/ICTM/ELEN - Pôle en ingénierie électrique

Abstract

One of the main markets for Silicon-onInsulator (SOI) devices is the high-temperature applications. In the last decade, the technology advances to deep submicron to improve device performances in term of cut-off frequency. Practical application of integrated circuits requires the consideration of a wide temperature range, and transmission lines are widely used in MMIC's as interconnects and matching networks. Therefore, there is a need to investigate the performances of the transmission line structures on SOI substrate in a wide temperature range, as a function of frequency. The behaviour of 50 Ω microstrip (MSL) and coplanar waveguide (CPW) transmission line topologies versus temperature is presented.

Published
2006

36. Dynamics of electric field screening in photoconductive THz sources with spatially patterned excitation

Author

Dambrine, G., Gloria, D., Scheer, P., Raynaud, C., Danneville, F., Lepilliet, S., Siligaris, A., Pailloncy, G., Martineau, B., Bouhana, E., and Valentin, R.

Subjects
ING-INF/01 Elettronica
Abstract

65nm n-MOSFETs show state-of-the-art cutoff frequency with ft =210 GHz and microwave low noise and high gain properties(NFmin= 0.8dB and Gass=17.3 dB at 12 GHz). As compared with the previous nodes, the high frequency properties of these MOSFETs continue to be in agreement with the downscaling trends.

Published
2005

37. Design of a travelling wave amplifier in 0.13 µm partially depleted SOI

Author

Si Moussa, M., Pavageau, C., Danneville, F., Russat, J., Fel, N., Raskin, J.P., Vanhoenaker-Janvier, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

38. Behavior of a common source traveling wave amplifier versus temperature in SOI technology

Author

Si Moussa, M., Pavageau, C., Danneville, F., Russat, J., Fel, N., Raskin, Jean-Pierre, Vanhoenacker-Janvier, Danielle, and UCL - SST/ICTM/ELEN - Pôle en ingénierie électrique

Abstract

In this paper, the design and the results of a CMOS Silicon-on-Insulator (SOI) traveling wave amplifier (TWA) versus temperature are presented. The four stage TWA is designed with a single common source n-MOSFET in each stage using a 130 nm SOI CMOS technology requiring a chip area of 0.75 mm2 . A gain of 4.5 dB and a unitygain bandwidth of 30 GHz are measured at 1.4 V supply voltage for a power consumption of 66 mW. The designed circuit has been characterized over a temperature range from 25 to 300°C. The performance degradation on the gain of the TWA, the SOI transistors as well as the microstrip lines used for the matching network are analyzed. Index terms – SOI, Traveling Wave Amplifier, High temperature effect, Microstrip lines, DTMOS.

Published
2005

39. Propriétés hyperfréquences et de bruit des filières conventionnelles de transistors MOS à grille sub-100 nm

Author

Pailloncy, G., Dambrine, G., Danneville, F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

40. An investigation of temperature effects on CPW and MSL on SOI substrate for RF applications

Author

Si Moussa, M., Pavageau, C., Lederer, D., Picheta, L., Danneville, F., Russat, J., Fel, N., Raskin, J.P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

41. Noise in devices and circuits III - Proceedings of SPIE Vol. 5844

Author

Balandin, A.A., Danneville, F., Deen, M.J., Fleetwood, D.M., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Abstract

ISBN 0-8194-5839-2

Published
2005

42. Conception d'amplificateurs distribués en bande K avec une technologie CMOS SOI partiellement désertée 130 nm

Author

Pavageau, C., Si Moussa, M., Siligaris, A., Picheta, L., Danneville, F., Raskin, J.P., Vanhoenacker-Janvier, D., Russat, J., Fel, N., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

43. High frequency noise of SOI MOSFETs : performances and limitations

Author

Danneville, F., Pailloncy, G., Siligaris, A., Iniguez, B., Dambrine, G., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

44. Low power 23 GHz and 27 GHz distributed cascode amplifiers in a standard 130 nm SOI CMOS process

Author

Pavageau, C., Siligaris, A., Picheta, L., Danneville, F., Si Moussa, M., Raskin, J.P., Vanhoenacker-Janvier, D., Russat, J., Fel, N., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

45. Amplificateur faible bruit pour applications millimétriques à 40 GHz utilisant les transistors bipolaires à hétérojonction SiGeC d'une technologie BiCMOS

Author

Pruvost, S., Telliez, I., Danneville, F., Chantre, A., Chevallier, P., Dambrine, G., Lepilliet, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

46. Empirical MOSFET modelling for RF circuit design

Author

Siligaris, A., Dambrine, G., Sischka, F., Danneville, F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

47. RF and noise properties of SOI MOSFETs, including the influence of a direct tunneling gate current

Author

Danneville, F., Pailloncy, G., Dambrine, G., Iniguez, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2004

48. Noise modeling and performance in 0.15 µm fully depleted SOI MOSFET

Author

Pailloncy, G., Iniguez, B., Dambrine, G., Dehan, M., Raskin, J.P., Matsuhashi, H., Delatte, P., Danneville, F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2004

49. Modélisation de bruit et performances de MOSFETs SOI totalement désertés

Author

Pailloncy, G., Iniguez, B., Dambrine, G., Dehan, M., Raskin, J.P., Matsuhashi, H., Delatte, P., Danneville, F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2004

50. Nonlinear noise modeling in FETs for the design of low noise active mixers

Author

Danneville, F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2004

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