Search

Встановлено, що професійно орієнтована графічна підготовка технологів деревообробного виробництва має спиратись на такі методологічні принципи, як взаємозв'язок явищ і процесів, єдності теорії та практики, а також на такі принципи формування системи знань та вмінь: системності, систематичності, випередження, фундаменталізації, гуманітаризації, професійної спрямованості та індивідуалізації навчання. Виявлено, що повноцінне формування професійно орієнтованих графічних знань та вмінь майбутніх технологів деревообробки буде досягнуте при дотриманні таких педагогічних умов: 1) забезпечення участі студентів у таких видах діяльності, які потребують практичної реалізації графічних знань і умінь; 2) встановлення взаємодії та взаємозв'язків графічних знань та вмінь зі спеціальними за допомогою інформаційних технологій; 3) реалізація ідей інтеграції графічних знань та вмінь із спеціальними знаннями та вміннями за допомогою інноваційних форм і методів навчання й навчально-методичного забезпечення; 4) надання креативно-діяльнісного характеру завданням і задачам з графічних дисциплін. Визначено, що професійна підготовка майбутніх фахівців технологів деревообробного профілю буде більш ефективною за таких умов: формування системних знань та вмінь з графічних дисциплін на підставі інтегративного підходу; забезпечення наступності знань та вмінь з комплексу графічних дисциплін на різних ступенях навчання; врахування особливостей професійної підготовки майбутніх фахівців; використанні єдиного підходу до розроблення навчальних програм професійно орієнтованих дисциплін; забезпечення наступності у формуванні графічних знань та умінь; розроблення методичного забезпечення для аудиторної та самостійної роботи, зокрема, пакетів для контролю знань студентів. Встановлено, що підготовка технологів деревообробного виробництва організовується відповідно до відібраних методологічних підходів (системного, інтегративного, креативного і діяльнісного), конкретизованих принципів формування системи знань та вмінь (системності, випередження, фундаменталізації, професійної спрямованості, систематичності, гуманітаризації та індивідуалізації навчання), стандартів вищої технологічної освіти, освітньо-кваліфікаційної характеристики і освітньо-професійної програми. До подальших напрямів дослідження відносимо розроблення теоретико-методичних положень щодо формування системи професійно орієнтованих графічних знань та умінь, а також її конкретизацію у професійній підготовці майбутніх технологів деревообробки.

Виникнення радіаційного забарвлення в іонних кристалах є результатом локалізації створених радіацією вільних носіїв заряду на дорадіаційних точкових дефектах кристалічної ґратки. Із накопиченням у кристалах центрів забарвлення вступають в дію зворотні процеси. Вільні носії заряду рекомбінують на центрах забарвлення, дорадіаційні дефекти відновлюються. Завдяки довготривалого опромінення кристалів встановлюється динамічна рівновага між процесами генерації центрів забарвлення та висвітлювальною дією рентгенівських променів. Запропоновано одновимірну модель іонних кристалів, у якій було розраховано параметри радіаційної чутливості кристалів флюоритів, легованих неізовалентними домішками. Імовірність генерації центрів забарвлення при розпаді електронно-діркової пари та імовірність висвітлювальної дії знижується зі зменшенням концентрації активатора. За високих температур незалежно від концентрації активатора в кристалі імовірність утворення центрів забарвлення під час розпаду електронно-діркової пари така ж, як імовірність їх руйнування. Це пояснено тим, що в обох випадках носії заряду взаємодіють із електронейтральними дипольними центрами. Зі зменшенням концентрації активатора зростає величина енергії, що витрачається на створення однієї комплементарної пари центрів забарвлення, а відповідно радіаційна чутливість кристала знижується.

Виникнення радіаційного забарвлення в іонних кристалах є результатом локалізації створених радіацією вільних носіїв заряду на дорадіаційних точкових дефектах кристалічної ґратки. Із накопиченням у кристалах центрів забарвлення вступають в дію зворотні процеси. Вільні носії заряду рекомбінують на центрах забарвлення, дорадіаційні дефекти відновлюються. Під час довготривалого опромінення кристалів встановлюється динамічна рівновага між процесами генерації центрів забарвлення та висвітлювальною дією рентгенівських променів. Запропоновано одновимірну модель іонних кристалів, в якій розраховано параметри радіаційної чутливості кристалів флюоритів і лужно-галоїдних кристалів, легованих ізовалентними домішками. Встановлено, що незалежно від концентрації активатора в кристалі імовірність утворення центрів забарвлення при розпаді електронно-діркової пари завжди менша за імовірність їх руйнування. Це пояснюють тим, що в першому випадку носії заряду взаємодіють із електронейтральними цетрами, а в другому – із зарядженими. Імовірність генерації центрів забарвлення під час розпаду електронно-діркової пари різко зменшується зі зменшенням концентрації активатора, а імовірність висвітлювальної дії практично не залежить від вмісту домішки у кристалі. Зі зменшенням концентрації активатора зростає величина енергії, що витрачається на створення однієї комплементарної пари центрів забарвлення, а відповідно радіаційна чутливість кристала знижується. Неконтрольовані фонові домішки, якими є передусім ізовалентні чужорідні іони, якщо їх концентрація менша за величину с