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182 results on '"Roelens, Y."'

2. Reverse-bias current hysteresis at low temperature in GaN Schottky barrier diodes.

Author

Orfao, B., Abou Daher, M., Peña, R. A., Vasallo, B. G., Pérez, S., Íñiguez-de-la-Torre, I., Paz-Martínez, G., Mateos, J., Roelens, Y., Zaknoune, M., and González, T.

Subjects
SCHOTTKY barrier diodes, LOW temperatures, GALLIUM nitride, HYSTERESIS, ELECTRIC potential measurement, ELECTRON traps, HIGH voltages
Abstract

In this paper, we report an analysis of reverse current mechanisms observed in GaN Schottky barrier diodes leading to hysteretic behavior of the I–V curves at low temperature. By means of DC measurements from 33 to 475 K, we demonstrate the presence of two leakage mechanisms when comparing the experiments with the results obtained using a unified model to predict the ideal reverse current of the diode. Poole–Frenkel emission is the dominant mechanism for temperatures above 200 K, while trap-assisted tunneling prevails for lower temperatures, where also, hysteresis cycles are revealed by means of DC dual-sweep voltage measurements. The energy of the corresponding traps has also been determined, being around 0.2 and 0.45 eV, respectively. The hysteresis phenomenon is attributed to the bias-induced occupancy of the energy states originating the leakage-current processes, which leads to the reduction of the reverse current after a high negative voltage is applied to the diode. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2024
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4. Comprehensive model for ideal reverse leakage current components in Schottky barrier diodes tested in GaN-on-SiC samples.

Author

Orfao, B., Di Gioia, G., Vasallo, B. G., Pérez, S., Mateos, J., Roelens, Y., Frayssinet, E., Cordier, Y., Zaknoune, M., and González, T.

Subjects
SCHOTTKY barrier diodes, STRAY currents, THERMIONIC emission, ELECTRON tunneling
Abstract

A model to predict the ideal reverse leakage currents in Schottky barrier diodes, namely, thermionic emission and tunneling components, has been developed and tested by means of current–voltage–temperature measurements in GaN-on-SiC devices. The model addresses both current components and both forward and reverse polarities in a unified way and with the same set of parameters. The values of the main parameters (barrier height, series resistance, and ideality factor) are extracted from the fitting of the forward-bias I–V curves and then used to predict the reverse-bias behavior without any further adjustment. An excellent agreement with the I–V curves measured in the forward bias in the GaN diode under analysis has been achieved in a wide range of temperatures (275–475 K). In reverse bias, at temperatures higher than 425 K, a quasi-ideal behavior is found, but additional mechanisms (most likely trap-assisted tunneling) lead to an excess of leakage current at lower temperatures. We demonstrate the importance of the inclusion of image-charge effects in the model in order to correctly predict the values of the reverse leakage current. Relevant physical information, like the energy range at which most of the tunnel injection takes place or the distance from the interface at which tunneled electrons emerge, is also provided by the model. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2022
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7. Monte carlo study of the dynamic performance of a 100-nm-gate InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor

Author

Vasallo, B.G., Wichmann, N., Bollaert, S., Roelens, Y., Cappy, A., Gonzalez, T., Pardo, D., and Mateos, J.

Subjects
Monte Carlo method -- Usage, Field-effect transistors -- Innovations, Indium -- Electric properties, Gallium arsenide -- Electric properties, Electron mobility -- Methods, Voltage -- Measurement, Business, Electronics, Electronics and electrical industries
Published
2010

8. Sb-HEMT: toward 100-mV cryogenic electronics

Author

Noudeviwa, A., Roelens, Y., Danneville, F., Olivier, A., Wichmann, N., Waldhoff, N., Lepilliet, S., Dambrine, G., Desplanque, L., Wallart, X., Moschetti, G., Grahn, J., and Bollaert, S.

Subjects
Field-effect transistors -- Innovations, Indium -- Electric properties, Voltage -- Measurement, Simulation methods -- Usage, Business, Electronics, Electronics and electrical industries
Published
2010

11. Voltage tuneable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor

Author

Lusakowki, J., Knap, W., Dyakonova, N., Varani, L., Mateos, J., Gonzalez, T., Roelens, Y., Bollaert, S., Cappy, A., and Karpierz, K.

Subjects
Gallium arsenide semiconductors -- Research, Indium -- Atomic properties, Terahertz radiation -- Research, Physics
Abstract

A study was conducted to observe the terahertz emission from InGa/As/InAlAs lattice-matched high electron mobility transistors. The results showed that the emission appears in a threshold-like manner when the applied drain-to-source voltage U(sub DS) is larger than a threshold value U(sub TH).

Published
2005

12. GaN Schottky Diode for High Power THz Generation using Multiplier Principle

Author

Giuseppe Di Gioia, Chinni, V., Zegaoui, M., Cordier, Y., Maestrini, A., Treuttel, J., Ducournau, G., Roelens, Y., Zaknoune, M., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), LERMA Cergy (LERMA), Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique (LERMA (UMR_8112)), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), Di Gioia, Giuseppe, Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique et Atmosphères = Laboratory for Studies of Radiation and Matter in Astrophysics and Atmospheres (LERMA), École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY)-École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-CY Cergy Paris Université (CY), and Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THz - IEMN)

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract

International audience; GaN-based planar Schottky barrier diodes with potential applications in THz frequency multipliers were fabricated and characterized. GaN is a promising candidate to overcome all the physical limitations of GaAs which have been reached in the frame of high frequency power multiplier applications. Fabrication process of GaN Schottky diodes performed by e-beam is presented and DC characterizations are reported. The preliminary results showed that the behaviour in reverse bias is dominated by a leakage coming from the Schottky surface more than the periphery of the diode despite the supposed damage caused by the dry etching.

Published
2019

13. Terahertz emission induced by optical beating in nanometer-length field-effect transistors.

Author

Nouvel, P., Torres, J., Blin, S., Marinchio, H., Laurent, T., Palermo, C., Varani, L., Shiktorov, P., Starikov, E., Gruzinskis, V., Teppe, F., Roelens, Y., Shchepetov, A., and Bollaert, S.

Subjects
PARTICLES (Nuclear physics), SEMICONDUCTORS, ELECTRONICS, ELECTRON mobility, ENERGY-band theory of solids
Abstract

We report on photo-induced terahertz radiation with a high spectral purity generated by a submicron sized InGaAs-based high-electron-mobility transistor. The emission peak is due to the electron-hole pairs photocreated in the transistor channel at the frequency of the beating of two cw-laser sources. The radiation frequency corresponds to the lowest fundamental plasma mode in the gated region of the transistor channel. The observed high emission quality factor at 200 K is interpreted as a result of stream-plasma instability in the two-dimensional electron gas whose appearance is emphasized by the reduction of the velocity relaxation rate with the temperature. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2012
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14. Influence of the branches width on the nonlinear output characteristics of InAlAs/InGaAs-based three-terminal junctions.

Author

Iñiguez-de-la-Torre, I., González, T., Pardo, D., Gardès, C., Roelens, Y., Bollaert, S., and Mateos, J.

Subjects
NONLINEAR systems, MONTE Carlo method, NANOSTRUCTURES, HETEROSTRUCTURES, SCANNING electron microscopy, MATHEMATICAL models, ELECTRIC fields, ANODES
Abstract

In this work, the influence of the geometry of the different branches on the output characteristics of InAlAs/InGaAs three-branch junctions is analyzed. At room temperature experimental measurements show that when increasing the width of the horizontal branches, the nonlinear behavior persists, even if less pronounced. This implies a reduction in the (typically high) impedance of these nanodevices, which is quite interesting in order to minimize the influence of parasitic capacitances on their cutoff frequency and to decrease the reflected power due to the mismatch with the 50 Ω standard equipment. The width of the vertical branch is also a relevant parameter, nonlinear effects being more important for narrow branches. In both cases surface charges at the etched boundaries of the branches play a key role. Monte Carlo simulations (performed with a self-consistent surface charge model recently proposed by the authors) are used to explain the physical origin of the observed behavior and to improve the device performance. We focus on the enhancement of their efficiency as a way to develop their promising functionalities in various analog and digital circuits. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2009
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15. Voltage tuneable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor.

Author

Lusakowski, J., Knap, W., Dyakonova, N., Varani, L., Mateos, J., Gonzalez, T., Roelens, Y., Bollaert, S., Cappy, A., and Karpierz, K.

Subjects
PARTICLES (Nuclear physics), SEMICONDUCTORS, ELECTROMAGNETIC fields, ELECTRIC noise, SPECTRUM analysis, MONTE Carlo method
Abstract

Terahertz emission from InGaAs/InAlAs lattice-matched high electron mobility transistors was observed. The emission appears in a threshold-like manner when the applied drain-to-source voltage UDS is larger than a threshold value UTH. The spectrum of the emitted signal consists of two maxima. The spectral position of the lower-frequency maximum (around 1 THz) is sensitive to UDS and UGS, while that of the higher frequency one (around 5 THz) is not. The lower-frequency maximum is interpreted as resulting from the Dyakonov–Shur instability of the gated two-dimensional electron fluid, while the higher frequency is supposed to result from current-driven plasma instability in the ungated part of the channel. The experimental results are confirmed by and discussed within Monte Carlo calculations of the high-frequency current noise spectra. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2005
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16. Réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction de la filière InAlAs/InGaAs sur substrat flexible

Author

SHI, J.S., Wichmann, N., Roelens, Y., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

17. InAlAs/InGaAa HEMTs on polyimide flexible substrate with high cut-off frequencies

Author

SHI, J.S., Wichmann, N., Roelens, Y., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

18. 120nm AlSb/InAs HEMT without gate recess : 290GHz fT and 335GHz fmax

Author

Gardes, C., BAGUMAKO, S.M., Desplanque, L., Wichmann, N., Danneville, F., Bollaert, S., Wallart, X., Roelens, Y., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013
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19. HEMTs 100nm AlSb/InAs pour applications faible bruit, faible consommation

Author

BAGUMAKO, S., Gardes, C., Desplanque, L., Wichmann, N., Danneville, F., Bollaert, S., Wallart, X., Roelens, Y., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

20. Microwave performances of 100nm-gate In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate

Author

Shi, J., Wichmann, N., Roelens, Y., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

21. Lattice matched and pseudomorphic InGaAs MOSHEMT with fT of 200GHz

Author

Mo, J.J., Wichmann, N., Roelens, Y., Zaknoune, M., Desplanque, L., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012
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22. [Invited] AlSb/InAs HEMTs : an option for performance/power trade-off ?

Author

Roelens, Y., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

23. 50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz

Author

Mo, J.J., Wichmann, N., Roelens, Y., Zaknoune, M., Desplanque, L., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

24. Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm

Author

Mo, J., Olivier, A., Wichmann, N., Roelens, Y., Desplanque, L., Wallart, X., Danneville, F., Dambrine, G., Martin, F., Desplats, O., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

25. Self aligned 200nm In0.53Ga0.47As

Author

Olivier, A., Mo, J.J., Wichmann, N., Roelens, Y., Desplanque, L., Wallart, X., Danneville, F., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

26. 120nm AlSb/InAs HEMTs

Author

Roelens, Y., Olivier, A., Noudeviwa, A., Desplanque, L., Danneville, F., Wichmann, N., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

27. Optimisation des performances à faible tension de polarisation de HEMTs de la filière antimoine

Author

Noudeviwa, A., Olivier, A., Roelens, Y., Danneville, F., Wichmann, N., Waldhoff, N., Desplanque, L., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

28. 100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate MOSFET : fabrication and characterisation

Author

Mo, J.J., Wichmann, N., Roelens, Y., Zaknoune, M., Desplanque, L., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

29. Fabrication and characterization of 200-nm self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFET

Author

Olivier, O., Wichmann, N., Mo, J.J., Noudeviwa, A., Roelens, Y., Desplanque, L., Wallart, X., Danneville, F., Dambrine, G., Martin, F., Desplats, O., Wang, Y., Chauvat, M.P., Ruterana, P., Maher, H., Saint-Martin, J., Shi, Minghua, Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut d'électronique fondamentale (IEF), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and OMMIC

Subjects
Fabrication, [SPI]Engineering Sciences [physics], Lithography, MOSFET circuits, Ion implantation, Wet etching, Aluminum oxide, Gold, Sputter etching, Annealing, Indium gallium arsenide
Abstract

International audience; In this paper, a 200 nm n-channel inversion-type self-aligned In 0.53 Ga 0.47 As MOSFET with a Al 2 O 3 gate oxide deposited by Atomic Layer Deposition (ALD) is demonstrated. Two ion implantation processes using silicon nitride side-wall are performed for the fabrication of the n-type source and drain regions. The 200 nm gate-length MOSFET with a gate oxide thickness of 8 nm features the transconductance of 70 mS/mm and the maximum drain current of 200 mA/mm.

Published
2010
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30. Efficient terahertz mixer from plasma wave downconversion in InGaAs HEMTs

Author

Chusseau, Laurent, Torres, J., Nouvel, P., Marinchio, H., Varani, L., Lampin, J.-F., Bollaert, S., Roelens, Y., Dolfi, D., Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Radiations et composants (RADIAC), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Térahertz, hyperfréquence et optique (TéHO), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technology [Palaiseau], THALES [France], M. Razeghi, and THALES

Subjects
invited, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2010

31. High frequency performance of tellurium δ-doped AlSb/InAs HEMTs at low power supply

Author

Olivier, A., Noudeviwa, A., Wichmann, N., Roelens, Y., Desplanque, L., François DANNEVILLE, Dambrine, G., Wallart, X., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

32. Dispositifs à matériaux petit gap pour électronique ultra-faible consommation

Author

Bollaert, S., Olivier, A., Wichmann, N., Roelens, Y., Desplanque, L., Wallart, X., Cappy, A., Dambrine, G., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Leray J.L., Boudenot J.C., and Gautier J.

Abstract

ISBN 978-2-271-06829-3

Published
2009

33. Experimental and theoretical investigation of optically excited THz plasma waves in submicron InGaA HEMTs

Author

Marinchio, H., Sabatini, G., Laurent, T., Pousset, J., Palermo, C., Torres, J., Varani, L., Chusseau, Laurent, Roelens, Y., Bollaert, S., Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Térahertz, hyperfréquence et optique (TéHO), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience

Published
2008

34. HEMTs AlSb/InAs pour applications ultra faible consommation

Author

Bollaert, S., Olivier, A., Roelens, Y., Wichmannn, N., Shchepetov, A., Dambrine, G., Cappy, A., Desplanques, L., Wallart, X., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2008

35. Isolation mésa par gravures humide et sèche des HEMTs AlSb/InAs sur substrat InP

Author

Olivier, A., Gehin, T., Desplanque, L., Wallart, X., Cheng, J., Wichmann, N., Roelens, Y., Dambrine, G., Cappy, A., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2008

36. DC and RF performance of 0.2-2.4 µm gate length InAs/AlSb HEMTs

Author

Borg, M., Lefebvre, E., Malmkvist, M., Desplanque, L., Wallart, X., Roelens, Y., Dambrine, G., Cappy, A., Bollaert, S., Grahn, J., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2007
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37. HEMT AlSb/InAs pour applications ultra-faible consommation

Author

Bollaert, S., Roelens, Y., Desplanques, L., Wichmannn, N., Shchepetov, A., Wallart, X., Dambrine, G., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2007

38. Development of InAs/AlSb HEMT technology for high-frequency operation

Author

Grahn, J., Lefebvre, E., Borg, M., Malmkvist, M., Desplanque, L., Wallart, X., Roelens, Y., Dambrine, G., Cappy, A., Bollaert, S., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2007

39. HEMTs for millimeter and sub-millimeter waves applications

Author

Bollaert, S., Cappy, A., Dambrine, G., Duszynski, I., Roelens, Y., Shchepetov, A., Wallart, X., Wieszt, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

40. Nanotransistors pour émission THz

Author

Bollaert, S., Roelens, Y., Shchepetov, A., Wallart, X., Cappy, A., Lusakowski, J., Knap, W., Dyakonova, N., Dyakonov, M., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

41. New HEMT structures for THz applications

Author

Cappy, A., Wichmann, N., Bollaert, S., Wallart, X., Roelens, Y., Shchepetov, A., Knap, W., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

42. Technologie, simulation et caractérisation à T=300K de dispositifs balistiques de type GaInAs/AlInAs avec grille de commande

Author

Galloo, J.S., Gardes, C., Teukam, Z., Roelens, Y., Bollaert, S., Wallart, X., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

43. Trends and challenge in micro and nanoelectronics device research in Europe

Author

Cappy, A., Wichmann, N., Galloo, J.S., Bollaert, S., Roelens, Y., Mateos, J., Gonzalez, T., Knap, W., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2005

44. Microwave characterization of supraconducting YBCO coplanar resonators deposited by thermal coevaporation on different substrates

Author

Seron, D., Kokabi, H., Alquié, Georges, Roelens, Y., Bourzgui, N.E., Carru, J.C., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique (LEMCEL), and Université du Littoral Côte d'Opale (ULCO)

Subjects
[PHYS]Physics [physics]
Published
2004

45. Ballistic devices based on T-Branch Junctions and YBranch Junctions on GaInAs/AlInAs heterostructures

Author

Galloo, J.S., Roelens, Y., Bollaert, S., Pichonat, E., Wallart, X., Cappy, A., and Mateos, J.

Subjects
ING-INF/01 Elettronica, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect
Abstract

We present processes for building passive and active ballistic devices. A 2D Monte Carlo simulator was used to optimize these devices. We present also the study of the transition between ballistic and ohmic transport in T-Branch Junctions (TBJs) at room temperature by using DC characterization. Then we show experimental results for YBranch Junctions (YBJs) compared with Monte Carlo Simulations.

Published
2004

46. Technologie pour dispositifs AlInAs/GaInAs

Author

Galloo, J.S., Pichonat, E., Bollaert, S., Roelens, Y., Wallart, X., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2004

47. Fabrication of nano-ballistic devices using high resolution process

Author

Pichonat, E., Galloo, J.S., Roelens, Y., Bollaert, S., Wallart, X., Cappy, A., Mateos, J., Gonzales, T., Boutry, H., Bayot, V., Berdnarz, L., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Universidad de Salamanca, and Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain (UCL)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2003

48. Ballistic nanodevices for terahertz data processing : Monte Carlo simulations

Author

Mateos, J., Vasallo, B.G., Pardo, D., Gonzales, T., Roelens, Y., Bollaert, S., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2003

49. Microscopic modeling of nonlinear transport in ballistic nanodevices

Author

Mateos, J., Vasallo, B.G., Pardo, D., Galloo, J.S., Bollaert, S., Roelens, Y., Cappy, A., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2003

50. Composants balistiques pour applications térahertz

Author

Bollaert, S., Roelens, Y., Galloo, J.S., Huynen, S., Boutry, H., Mateos-Lopez, J., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain (UCL), and Universidad de Salamanca

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience

Published
2003

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Books, media, physical & digital resources
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