Etats électroniques occupés et inoccupés de SiO2 mesurés par photoémission directe et inverse et par émission d'X mous

Direct and inverse photoemission in the U.V. range and soft X-ray emission spectra (SiL 2,3 ) are presented for silicon di-oxides. These measurements concern amorphous (a-SiO 2 ) and cristalline (quartz) dioxides. These results allow an investigation of the electronic structure of these compounds around the Fermi level. Furthermore they show clearly that no Si3d electrons are present at the top of the valence band Resultats d'experiences de photoemission directe et inverse dans le domaine UV et d'emission de rayons X mous (SiL 2,3 ) sur SiO 2 amorphe et cristallise (quartz). Renseignements obtenus sur la structure electronique de part et d'autre du niveau de Fermi. Absence d'electrons 3d de Si au sommet de la bande de valence, en accord avec les calculs