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24 results on '"De Salvo, B."'

1. Investigation of HfO2/Ti based vertical RRAM - Performances and variability

Author

Piccolboni, G., Molas, G., Carabasse, C., Nodin, J., Pellissier, C., Brianceau, P., Vianello, E., Pollet, O., Perrin, F., Cluzel, J., Toffoli, A., Aussenac, F., Delaye, V., Ghibaudo, G., de Salvo, B., Perniola, L., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-10-LABX-0055,MINOS Lab,Minatec Novel Devices Scaling Laboratory(2010), European Project: 621217,EC:FP7:SP1-JTI,ENIAC-2013-2,PANACHE(2014), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Vertical RAM, Ti, resistive RAM, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, OXRAM, Scaling, HfO2
Abstract

International audience; An easy-to-fabricate, low-cost, sidewall TiN/HfO 2 /Ti vertical resistive RAM (VRRAM) device is proposed. Devices with bottom electrode thickness down to 10nm were fabricated and characterized. Forming, SET and RESET voltages of respectively 2V, 0.5V and -0.5V were measured. A stable memory window of one decade was maintained after 10 5 s at 200°C. The impact of scaling on the operating voltages and memory resistance levels was evaluated, showing a SET and RESET voltage reduction as the cell diameter is reduced. Finally the cycle-to-cycle resistance variability was addressed.

Published
2014
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2. Low-Temperature Transport Characteristics in SOI and sSOI Nanowires Down to 8nm Width: Evidence of Ids and Mobility Oscillations

Author

Coquand, R., Barraud, S., Cassé, M., Koyama, M., Maffini-Alvaro, V., Tosti, L., Monfray, S., Boeuf, F., Faynot, O., de Salvo, B., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale (LGCIE), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée (DAPNIA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), European solid-state circuits conference (39, Bucharest, Romania), IBM-STMicroelectronics-CEA/LETI-MINATEC Development Alliance, Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Rasolofoniaina, Brigitte

Subjects
SOI nanowire, Temperature measurement, Nanowires, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Quantum capacitance, Oscillators, Logic gates, low temperature, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, electron mobility, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, quantum confinement
Abstract

International audience

Published
2013

3. Detailed Analysis of the Role of Thin-HfO2 Interfacial Layer in Ge2Sb2Te5-Based PCM

Author

Hubert, Q., Jahan, C., Toffoli, A., Delaye, V., Lafond, D., Grampeix, H., de Salvo, B., Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract

International audience; Vol. 60, no.7, pp.2268-2275, doi: (July 2013)

Published
2013
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4. Temperature impact (up to 200°C) on performance and reliability of HfO2-based RRAMs

Author

Cabout, T., Perniola, L., Jousseaume, V., Grampeix, H., Nodin, J.F., Toffoli, A., Guillermet, M., Jalaguier, E., Vianello, E., Molas, G., Reimbold, G., de Salvo, B., Diokh, T., Candelier, P., Pirrotta, O., Padovani, A., Larcher, L., Bocquet, Marc, Muller, Christophe, Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia (UNIMORE), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia = University of Modena and Reggio Emilia (UNIMORE)

Subjects
endurance, Resistive-switching random access memory (RRAM), [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, data retention, bipolar operation
Abstract

International audience; This paper provides an overview of the temperature impact (up to 200 °C) on the electrical behavior of oxide-based RRAM, during forming, low-field resistance reading, SET/RESET, disturb, data retention and endurance. HfO 2-RRAM devices (in a 1T1R configuration) integrated in an advanced 65 nm technology are studied for this aim. We show that forming operation is strongly activated in temperature (i.e.-0.5 V per hundred Celsius degree), being much less for SET and RESET voltages (i.e.

Published
2013
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5. Phase change memory for neuromorphic systems and applications

Author

Suri, M., Bichler, O., Querlioz, D., Sousa, V., Perniola, L., Vuillaume, D., Gamrat, C., De Salvo, B., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST), Institut d'électronique fondamentale (IEF), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), and Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA))

Published
2013

6. Investigation of new chalcogenide materials to improve the PCM performance

Author

Sousa, V., Perniola, L., Navarro, G., Pashkov, N., Suri, M., Henaff, E., Persico, A., Fillot, F., Pierre, F., Roule, A., Maitrejean, S., Michallon, P., Vallée, Corentin, Feldis, H., Jahan, C., Nodin, J.F., Toffoli, A., Blachier, D., Bastard, A., Bastien, J.C., Hyot, B., André, B., Reimbold, G., Zuliani, P., Annunziata, R., de Salvo, B., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Clot, Marielle

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2011

7. The impact of oxide properties on resistive RAM electrical characteristics

Author

Jousseaume, V., Guedj, C., Nodin, J.F., Persico, A., Feldis, H., Minoret, S., Roule, A., Grampeix, H., Zenasni, A., Fantini, A., Perniola, L., Gonon, P., Vallee, C., Auvert, G., Barnes, J.P., Martinez, E., Calka, Pierre, Favier, S., Buckley, J., de Salvo, B., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Clot, Marielle

Published
2010

8. Nanocrystal Memories

Author

Baron, T., de Salvo, B., Mur, P., Souifi, A., Gendry, M., Bodnar, S., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2009

9. NH 3 treatments of Hf-based layers for application as NVM active dielectrics

Author

Bocquet, Marc, Molas, G., Martínez, E., Grampeix, H., Martin, F., Colonna, J, Buckley, J, Licitra, C., Rochat, N., Veyron, T, Papon, A, Aussenac, F., Delaye, V., Gély, M., Pananakakis, G., de Salvo, B., Ghibaudo, G., Deleonibus, S., Bocquet, Marc, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract

International audience; Introduction High-κ materials are currently under investigation for application to non volatile memories (NVMs) thanks to the important benefits they offer in terms of coupling, in particular when they are used as interpoly (IPD) layers 1-4. However, the important charge trap density which characterizes these new materials constitutes a serious roadblock, the device reliability being affected by the trap-assisted gate leakage currents 5. Hence, today a major challenge is the process control of the high-κ trapping properties. In this paper, we advance the state of the art on these topics by investigating the influence of nitrogen (N) incorporation, by ammonia (NH 3) treatments, on HfO 2 and HfAlO high-κ materials in the 6-14nm thickness range (suitable for NVM applications). Through physical and electrical analyses, we demonstrate that an appropriate nitridation can significantly reduce the parasitic charge trapping phenomena. We argue that the lower trapping behavior is related to a smaller ratio of the crystalline phase of the high-κ layers, which is indeed strictly linked to the nitridation process.

Published
2007

10. Synchrotron radiation x-ray photoelectron spectroscopy of Si nanocrystals grown onto Al/sub 2/O/sub 3//Si surfaces

Author

Renault, O., Marlier, R., Gely, M., De Salvo, B., Baron, T., Hansson, M., Barrett, N.T., Clot, Marielle, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2005

11. Silicon Nanocrystal Memories: A solution to push further the scaling limits of current NVMs technologies

Author

De Salvo, B., Gerardi, C., Lombardo, S., Baron, T., Clot, Marielle, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2004

12. Growth and study of Si quantum dots for integration in memory devices

Author

Baron, T., Mazen, F., de Salvo, B., Gely, M., Decossas, S., Gerardi, C., Ammendola, G., Puglisi, R., Nicotra, G., Lombardo, S., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2004

13. Improved size dispersion of Si nanocrystals grown in a batch LPCVD reactor

Author

Wan, Y.M, Jeugd, K.V.D, Baron, T., De Salvo, B., Mur, P., Clot, Marielle, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Published
2004

14. Integration of Si quantum dots in memory devices

Author

Baron, T., Mazen, F., De Salvo, B., Gely, M., Decossas, S., Gerargi, C., Ammendola, G., Lombardo, S., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Published
2004

15. Nonvolatile nanocrystals memory obtained by CVD deposition of silicon nanocrystals

Author

Gerardi, C., De Salvo, B., Lombardo, S., Baron, T., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2004

16. Development of LPCVD Silicon Nitride (SiN) dots for discrete traps memory cells

Author

Buffet, N., Mur, P., Mariolle, D., de Salvo, B., Nicotra, G., Lombardo, S., Mazen, F., Pelissier, B., Baron, T., Wan, Y.M, van Der Jeugd, K., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2003

17. Silicon Nano-crystals Memories

Author

de Salvo, B., Gerardi, C., Lombardo, S., Baron, T., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Clot, Marielle

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2003

18. Growth of Si nano-crystals on alumina and integration in memory devices

Author

Baron, T., Fernandes, A., Damlencourt, J.F, de Salvo, B., Martin, F., Mazen, F., Haukka, S., Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Clot, Marielle

Subjects
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2003

19. Si quantum dots growth on Al2O3 dielectric; integration in memory devices

Author

Baron, T., Mazen, F., Damlencourt, J.F, De Salvo, B., Gentile, P., Papon, A.M, Guillaumot, B., Semeria, M.N, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (SiNaps), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Clot, Marielle, and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Published
2002

20. A stacked SONOS technology, up to 4 levels and 6nm crystalline nanowires, with gate-all-around or independent gates (Φ-Flash), suitable for full 3D integration.

Author

Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Bertin Technologies (Bertin Technologies) ; Bertin Technologies, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Hubert, A., Nowak, E., Tachi, K., Maffini-Alvaro, V., Vizioz, C., Arvet, C., Colonna, J.-P., Hartmann, J.-M., Loup, V., Baud, L., Pauliac, S., Delaye, V., Carabasse, C., Molas, G., Ghibaudo, G., De Salvo, B., Faynot, O., Ernst, T., Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Bertin Technologies (Bertin Technologies) ; Bertin Technologies, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Hubert, A., Nowak, E., Tachi, K., Maffini-Alvaro, V., Vizioz, C., Arvet, C., Colonna, J.-P., Hartmann, J.-M., Loup, V., Baud, L., Pauliac, S., Delaye, V., Carabasse, C., Molas, G., Ghibaudo, G., De Salvo, B., Faynot, O., and Ernst, T.

Abstract

National audience

21. In-depth analysis of 3D Silicon nanowire SONOS memory characteristics by TCAD simulations

Author

Bertin Technologies (Bertin Technologies) ; Bertin Technologies, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Institut d'astrophysique spatiale (IAS) ; CNRS - INSU - Université Paris XI - Paris Sud, Nowak, E., Hubert, A., Perniola, L., Ernst, T., Ghibaudo, G., Reimbold, G., Boulanger, F., De Salvo, B., Bertin Technologies (Bertin Technologies) ; Bertin Technologies, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Institut d'astrophysique spatiale (IAS) ; CNRS - INSU - Université Paris XI - Paris Sud, Nowak, E., Hubert, A., Perniola, L., Ernst, T., Ghibaudo, G., Reimbold, G., Boulanger, F., and De Salvo, B.

Abstract

International audience

22. Charge Localization During Program and Retention in NROM-like Nonvolatile Memory Devices.

Author

Bertin Technologies (Bertin Technologies) ; Bertin Technologies, Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) ; CNRS - Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN) - Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis - Université Lille I - Sciences et technologies, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut d'astrophysique spatiale (IAS) ; CNRS - INSU - Université Paris XI - Paris Sud, Nowak, E., Vianello, E., Perniola, L., Bocquet, M., Molas, G., Kies, R., Gely, M., Ghibaudo, G., De Salvo, B., Reimbold, G., Boulanger, F., Bertin Technologies (Bertin Technologies) ; Bertin Technologies, Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) ; CNRS - Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN) - Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis - Université Lille I - Sciences et technologies, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut d'astrophysique spatiale (IAS) ; CNRS - INSU - Université Paris XI - Paris Sud, Nowak, E., Vianello, E., Perniola, L., Bocquet, M., Molas, G., Kies, R., Gely, M., Ghibaudo, G., De Salvo, B., Reimbold, G., and Boulanger, F.

Abstract

International audience

23. On the Role of a HTO/Al2O3 Bi-Layer Blocking Oxide in Nitride-Trap Non-Volatile Memories

Author

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Bocquet, M., Molas, G., Perniola, L., Garros, X., Buckley, J., Gély, M., Colonna, J.-P., Grampeix, H., Martin, F., Vidal, V., Toffoli, A., De Salvo, B., Deleonibus, S., Pananakakis, G., Ghibaudo, G., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Bocquet, M., Molas, G., Perniola, L., Garros, X., Buckley, J., Gély, M., Colonna, J.-P., Grampeix, H., Martin, F., Vidal, V., Toffoli, A., De Salvo, B., Deleonibus, S., Pananakakis, G., and Ghibaudo, G.

Abstract

International audience

24. New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories.

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Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Nowak, E., Bocquet, M., Perniola, L., Ghibaudo, G., Molas, G., Jahan, C., Kies, R., Reimbold, G., De Salvo, B., Boulanger, F., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Nowak, E., Bocquet, M., Perniola, L., Ghibaudo, G., Molas, G., Jahan, C., Kies, R., Reimbold, G., De Salvo, B., and Boulanger, F.

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